单片机版驱动一个mosfet
单片机驱动一个mosfet，单片机应该输出两路，一路pwm，一路GND。PWM到G级，GND到S级。
但我觉得好像有不对，mosfet的S级不应该是零电位啊，所以会把板子烧了。那应该怎么连。
亲！单片机驱动mosfet一般都需要隔离的，因为工作电压差别比较大，而且单片机一般是5V以下，很多mosfet的驱动电压要求10V以上才能完全导通
简单一点的你可以用个光耦做隔离，单片机PWM连接光耦的输入（要加限流电阻），光耦输出通过一个电阻连接mosfet电源或者S极
你可以参考下图，是我自己做的，调节有刷直流电机转速的基本原理，其它外设没有画。负载是一个普通的直流有刷电机，用的PC817光耦隔离单片机和电机电路。51单片机输出PWM控制PC817的导通关断从而间接控制mosfet的通断，改变PWM占空比可以调节电机转速。R1是PC817的限流电阻，R2是因为V比较高，所以要调节到mosfet允许的驱动电压范围，多数的mosfet都是10V以上可以接近完全导通，此时损耗比较小，但一般小于15V，因为很多MOSFET栅极允许电压都要求不高于20V，留几V做设计余量，可以理解为高铁设计时速400，实际只跑300一样的道理
回答很详细啊，谢谢。
不过您的图是不是画错了。我觉得应该再在图上那加一个电阻。
我实际连过，负载是一个直流电机，电阻在上面、下面电机都可以转起来
单片机版驱动一个mosfet
亲！单片机驱动mosfet一般都需要隔离的，因为工作电压差别比较大，而且单片机一般是5V以下，很多mosfet的驱动电压要求10V以上才能完全导通 简单一点的你可以用个光耦做隔离，单片机PWM连接光耦的输入（要加限流电阻），光耦输出通过一个电阻连接mosfet电源或者S极 你可以参考下图，是我自己做的，调节有刷直流电机...
想用单片机输出的PWM直接驱动mosfet管,需要加光耦隔离吗
应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。所以一般要采用电流比较大的驱动源，如三极管，MOS驱动器件
用单片机直接驱动MOSFET,请推荐几种常用的逻辑电平驱动MOSFET型号
和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT2301、UT2305、UT3400、UT3401、NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。看VGS。
用8051单片机控制mosfet管做开关的问题
分开说，30分钟定时开关，这个可以通过写程序实现，程序定时控制一个IO，比如说P1.0，30分钟P1.0输出一个高电平，30分钟后再变为低电平。再说P1.0的控制信号有了，需要通过驱动电路控制MOS管，来控制外部设备，这个驱动电路和MOS管需要根据你的负载来选择，如果负载电流大，电压高，相应的需要选择一...
可以直接用 51单片机 的引脚驱动mos管的g极的吗?想做个程控开关,一定采 ...
可以。普通MOS的G极驱动电压要求达到4V，电流几乎没有要求，所以用51单片机是可以直接驱动的。但具体使用的时候有些地方要注意：mos管分P沟道和N沟道，驱动时要考虑极性，另外，直接用51驱动，开关速度不能太高。
单片机的PWM输出可以直接驱动MOS管吗
这要看你的MOS管了，一般是不可以的，不过有些新开发的型号，有的称作logic mosfet的门限电压比较低，但这类MOSFET功率都不大。
如何同时驱动两个S极连在一起的MOSFET???
亲！单片机驱动mosfet一般都需要隔离的，因为工作电压差别比较大，而且单片机一般是5V以下，很多mosfet的驱动电压要求10V以上才能完全导通 简单一点的你可以用个光耦做隔离，单片机PWM连接光耦的输入（要加限流电阻），光耦输出通过一个电阻连接mosfet电源或者S极 你可以参考下图，是我自己做的，调节有刷直流电机...
单片机驱动大功率LED的问题
单片机 PWM 信号输出 控制 大功率LED 灯的 亮度，一般 1W 的 LED 灯 电流 大约在 300 mA 左右，三极管 功率 要大一些，或者可以 用 MOSFET 管。
51单片机怎么控制大功率的直流电机,麻烦给下电路图,谢啦。主要是驱动...
2：H桥的上管可以用IR2110来驱动，这个芯片自己提供了一个自举功能，上管MOSFET（或IGBT）的源极电压是浮动的，自举电路可以保证上管的栅源之间的电压在开启电压阈值之上。3：你想要用51单片机实现调速，只需要用51单片机的P0~P3口产生两组互相反相的PWM波（注意两组之间要有死区），输出到IR2110的HIN...
关于51单片机使用MOSFET来控制锂电池的通断的实现
放弃51，用带AD的单片机，如AVR等，1 ：用AD测量。比较器太死板 2 ：I\/O口用个三极管控制锂电池的通断就可。MOSFET也可，只是成本高 3 ：有2省略3。4 ：根据电流选择管子，5V的锂电池，极大多数管子耐压满足要求。
