三极管的分压式偏置电路

Question

如图所示：三极管的分压式偏置电阻，Q点的稳定过程可动态表示如下：
温度↑ → IC ↑ → IE ↑ → VE(=IE*RE)↑ →UBE ↓ → IE ↓ → IC ↓
其中：UBE = VB - VE
饿不明白的是：为什么 UBE 下降后 会导致 IE 上升呢？ 直流情况下，UBE = Vcc-IB*RB-IE*RE = Vcc-(IB*RB+IE*RE) =Vcc-(IB*RB+(IB+βIB)RE)UBE 下降 肯定该是 IB 上升才对的，怎么书上 是IE下降呢？
书上说温度升高，UBE 减小，造成三极管的 输入特性左移，前面说基集电流的减小，输入特性会右移，那就是说输入特性左移 基集电流就变大啦，又由于 温度升高 β 会变大，UBE = Vcc-IB*RB-IE*RE = Vcc-(IB*RB+IE*RE) =Vcc-(IB*RB+(IB+βIB)RE) 所以 UBE 下降 IB 增大，温度升高β增大，IE = IB + IC = IB + βIB IB 和β 都增大啦，那 IE 肯定也增大啦，怎么可能降低呢？

Answer 1

温度T上升->β上升->IC=β×IB，所以IC上升->IE上升->VE上升->UBE下降->IB下降->IE下降->VE下降，VE的下降抵消了之前VE的上升，所以能够稳定住静态工作点。

那么为什么UBE下降会导致IB下降呢？

刚开始我也一知半解想了很久，后来才发现这与三极管的特性相关；

根据下图可以看到UBE的下降，使IB同样减小了。




刚开始我的理解要列出IB与β之间的关系，但发现这样根本不能符合实际结果。

Answer 2

因为RB2是下偏置电阻，VBQ就是RB2上电压，而RB2上的电压是RB1和RB2串联后分在RB2上的电压，所以VBQ=VG*RB2/RB1+RB2，而VG*RB1/RB1+RB2是分丰RB1上的电压。

Answer 3

你的推导“UBE =Vcc-(IB*RB+(IB+βIB)RE) ”中，假定 β是恒定的。而三极管温度变化时β通常是增大的，所以上式并不能否定前面的温度稳定过程。

分析问题要注意哪个是因、哪个是果。因果不能倒置。
这里就是Re的负反馈作用：当温度↑ → IC ↑ → IE ↑时，Re上的压降增大，导致IB ↓ → IC ↓，从而稳定工作点。

Answer 4

先设基极对地电压恒定
发射结电流中ib的成分与发射结两端电压UBE正相关
ie增大，ve上升，压缩了ube，使ib减小，ic减小

追问

您好，U(be) 下降 为什么 ib减小呢？

追答

发射结动态电阻虽小，仍然是正的，，单看流过发射结的ib分量，仍然由U(be)决定

Answer 5

这个问题需要纠结，书上只要求记住除了Ube下降外，其它量都是上升的。。。