晶体管的输入电阻rbe是200还是300

晶体管的输入电阻rbe是200还是300

晶体管的输入电阻是工作电流的函数,不同的直流工作点数值各不相同。常温下
rbe=rbb'+26mV(1+β)/Ie。
例如一个低频管rbb'大约200Ω,当发射极电流Ie=1mA,放大倍数100倍下,rbe为2826Ω
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第1个回答  2017-10-24
这要根据管子的实际情况而定。
第2个回答  2017-10-23
300,

晶体管的输入电阻rbe是200还是300
晶体管的输入电阻是工作电流的函数,不同的直流工作点数值各不相同。常温下 rbe=rbb'+26mV(1+β)\/Ie。例如一个低频管rbb'大约200Ω,当发射极电流Ie=1mA,放大倍数100倍下,rbe为2826Ω

晶体管的rbe是什么?搞不懂啊,求大神指点。
rbe是晶体管的交流输入电阻(动态)由三部份组成:1.基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧;2.发射极体积电阻很小一般忽略;3,基极、发射极结电阻跟β与电流IE有关公式为:β×26(mv)\/I(ma) ∵rbe=rbb+β×(26mv)\/(Ima) 26(mv)\/I(ma) (波尔兹曼常数)...

rb'e一般多大
几十到几百欧姆。rb'e在测量表中一般是几十到几百欧姆。rbe是晶体管的交流输入电阻,输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。rbe是晶体管的交流输入电阻(动态)由三部份组成,基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧、发射极体积电阻很小一般忽略。

rbe为什么采用小写字母
rbe是BJT晶体管的输入电阻,其定义是BJT输入特性曲线的斜率,即输入的发射结电压增量与基极电流增量的比值。rbe由三部分组成:1.基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧;2.发射极体积电阻很小一般忽略;3.基极、发射极结电阻跟β与电流IE有关公式为:β×26(mv)\/I(ma)(玻尔兹曼常数)而英语缩略词...

...中rbe到底怎么求??公式前面那个常数有时候是200 有时候是260 有时 ...
具体的说和滞留工作点有关。一般估算是,150~350都是合理的,工程应用时并没有统一的标准。晶体管的输入端加交流信号vi时,在其基极将产生相应的变化电流b,如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。因此晶体管的输入端b、e之间用一个等效电阻代替,这个电阻称为三极管的输入电阻rbe。

工程上用来估算晶体管输入电阻的公式:R=300+(1+β)26\/I 中I 是什么电...
晶体管输入电阻一般用符号rbe表示,其中26是温度的电压当量UT,在室温时UT=26mV,分母电流应该是发射极电流Ie,这个估算公式应该写为:rbe=300+(1+β)26(mV)\/Ie 其中300表示体电阻,单位是Ω。既然300单位是Ω,那么26(mV)\/Ie中的Ie单位应当取为mA,使mV与mA的比值也是Ω,便于与300Ω直接相加...

三极管的问题
你看一下下面的图片就知道了.它主要用于h参数等效电路中,用于计算Rbe,Rbb 是基区的等效电阻.一般为200-300之间.

刚开始学模电,求教关于求模电里电压增益的问题。
这位朋友,准确讲,是共射放大器电压增益公式是-βR'L\/rbe,R'L是等效交流负载电阻,R'L=Rc\/\/RL =RcRL\/(Rc+RL),rbe指的是晶体管输入特性曲线的斜率即动态电阻,也是基本共射放大器的输入电阻。rbe=rbb'+UT\/Ib,其中rbb'和UT是两个常数,rbb'是基区体电阻,rbb'=100Ω~200Ω,UT=26mV...

共射集放大电路的rbe怎么求?
rbe 由基区电阻rbb',发射结电阻rb'e',发射区电阻re组成,rbb'一般几十到几百欧姆,可以查手册,re一般几欧姆可以忽略不计.所以rbe=Ube\/Ib=(Ubb'+Ub'e')\/Ib=rbb'+Ie\/Ib*rb'e', 其中rb'e'=UT\/Ie.所以 rbe=rbb'+(1+β)UT\/IE 常温下UT一般为26mV....

三极管微变等交电路中称为三极管的输入电阻一般情况下该电阻的仿算公 ...
三极管输入电阻,就是发射结电阻,包括接触电阻 rbb,以及PN结导通等效电阻。rbb 大功率三极管一般取 200欧,小功率三极管,取 300欧。PN结等效电阻 26mV\/ibq 。所以,微变等效三极管输入电阻 rbe = rbb + 26\/ibq

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