MCS-51单片机扩展系统中,片外程序存储器和片外数据存储器共处同一个...
因为控制信号线的不同：外扩的RAM芯片既能读出又能写入，所以通常都有读写控制引脚，记为OE和WE。外扩RAM的读、写控制引脚分别与MCS-51的RD和WR引脚相连。外扩的EPROM在正常使用中只能读出，不能写入，故EPROM芯片没有写入控制引脚，只有读出引脚，记为OE，该引脚与MCS-51单片机的PSEN相连 访问片外...
在MCS-51单片机扩展系统中,片外程序储存器和片外数据储存器共处同一个...
访问片外ROM使用MOVC指令，对芯片的控制信号为#PSEN，而访问片外RAM使用的是MOVX指令，控制信号为#RD和#WR。二者的控制信号不同，就不会存在地址重叠的现象了。
为什么MCS-51单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间而不会...
可以简单的说成是操作数.如果在操作 程序存储器 和 读写数据存储器 的操作数相同.而操作码不相同。这样就不会发生总线冲突了！
MCS-51单片机P0口和P1口的区别
P0口有三个功能：1、外部扩展存储器时，当做数据总线（如图1中的D0~D7为数据总线接口）2、外部扩展存储器时，当作地址总线（如图1中的A0~A7为地址总线接口）3、不扩展时，可做一般的I\/O使用，但内部无上拉电阻，作为输入或输出时应在外部接上拉电阻。P1口只做I\/O口使用：其内部有上拉电阻。
MCS-51中无ROM型单片机,在应用中P2口和P0口能否直接作为输入输出口使用...
不可。因为此时P0、P2口作为外部总线连接外置的程序存储器。
为什么说51单片机的P0口的驱动能力比P2口驱动能力要强?
这个是由模块的内部结构决定的 可以肯定的是P0的驱动能力比其他口要强。但是是否是2倍不得而知。注意，MCS51及时是P0口漏电流（输出）很小，不得超过10mA。否则会引起发热甚至烧坏，应当设计驱动电路。灌电流相对较大，约有20mA。所以LED的设计一般采用灌电流方式。
当单片机外部扩展RAM和ROM是时,P0口,P1口,P2口,P3口各起什么作用?
不知道你说的是哪种单片机,如果是常用的51单片机的话,其P1口仅作为I\/O,无第二功能；P3口作为I\/O的同时,其第二功能是一些特殊功能,非扩展存储.P0口用于外部扩展存储时,用作地址总线或数据总线；P2口作为扩展存储时,作为地址总线.
在MCS-51单片机系统中,扩展的程序存储器和数据存储器都使用16位地址线...
扩展片外存储器，使用的是三总线结构，即AB、DB和CB。楼主仅仅说出了16位地址线和8位数据线，这只是AB和DB。另外的控制总线（CB）如下：扩展程序存储器，使用PSEN引线，来控制对其读出；扩展数据存储器，使用RD和WR引线，来控制对其读写。因为控制总线不同，所以不发生冲突。
MCS-51中无ROM型单片机,在应用中P2口和P0口能否直接作为输入\/输出口使 ...
MCS-51中无ROM型单片机，在应用中P2口和P0口能否直接作为输入\/输出口使用， 为什么？MCS-51中无ROM型单片机（虽然几近绝种了，但知识还是要学），在应用中P2口和P0口就不能直接作为输入\/输出口使用了，因为这两个端口都忙乎取指令去了，还忙不过来（要复用），其端口电平时时在乱跳。
MCS-51单片机扩展系统中,片外程序存储器和片外数址空间,为什么不会发 ...
MCS-51单片机在扩展系统中，区分片外程序存储器和片外数据存储器的关键在于控制信号的不同。外接RAM芯片如普通的RAM，拥有读写控制引脚OE和WE，使得数据既能读取也能写入，RD和WR信号分别连接到MCS-51的对应引脚，实现数据的交换。相比之下，EPROM（只读存储器）在正常使用中，其写入功能受限，只有读出...
