国产替代加速：功率半导体产业及个股梳理

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功率半导体概览
功率半导体是电能转换与电路控制的核心元件，广泛应用于各种需要电能处理和转换的场景。按照集成度划分，功率半导体主要分为功率分立器件与功率IC两大类。
功率器件主要包括二极管、晶体管（IGBT、MOSFET、BJT）、晶闸管等，体积较大，适用于处理高功率和大电压。功率IC则将功率器件与电路集成在同一个芯片上，主要应用于手机等小电压场景。
功率器件分类及应用
功率器件主要产品有二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。二极管、三极管、晶闸管由简单PN结组成，适用于低频领域。MOSFET与IGBT属于第二代功率半导体，目前占据功率器件主要市场，占比分别为40%与25%。MOSFET在低压场景性能与价格上具有优势，而IGBT在600V以上电压场景更显优势。
功率器件应用领域包括工业、电子设备、工控、UPS、变频器、计算机、通信、消费电子、开关电源、充电器等。二极管应用于低压领域，晶闸管适用于高压领域，MOSFET主要应用于中低压领域，IGBT广泛应用于新能源车、消费电子、轨道交通、光伏、风电、家电、电网等高电压领域。
MOSFET市场格局
MOSFET具有开关和功率调节功能，开关速度快、能耗低、便于集成。全球MOSFET行业集中度较高，由英飞凌、安森美、东芝等欧美日厂商主导，其中英飞凌市场份额约25%。国内主要厂商包括华润微、闻泰科技、士兰微、富满微等，闻泰科技的安世半导体为国内功率半导体IDM厂商，小信号二极管和晶体管出货量全球第一、功率分立器件全球第六。
IGBT产业解析
IGBT是电能转换与电路控制的核心器件，能耗低、散热小、稳定性高，适用于中大功率电子器件。根据电压等级不同，IGBT可划分为低压、中压与高压IGBT。低压IGBT应用于消费电子领域，中压IGBT适用于新能源汽车、光伏、家电、工业领域，而超高压IGBT则用于轨交、风电、电网等领域。
IGBT竞争格局
全球IGBT行业集中度较高，英飞凌、三菱、富士电机、安森美、东芝合计占据70%市场份额。按公司运作模式可分为Fabless、Foundry与IDM三类。Fabless厂商主要负责芯片设计与产品销售，如斯达半导、新洁能、芯朋微。Foundry厂商专注于晶圆制造，国内代表有中芯国际、华虹公司。IDM厂商集芯片设计、制造与封测环节于一体，代表有扬杰科技、士兰微、捷捷微电、台基股份。其中，扬杰科技主营各类功率半导体，采用IDM与Fabless并行的经营模式。新洁能是国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件设计厂商。