三极管放大的条件是什么?

如题所述

三极管放大的条件是有合适的偏置,也就是说发射结正偏,集电结反偏,组成原则如下:

1、保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态,即有合适的偏置。也就是说发射结正偏,集电结反偏。

2、输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极,形成变化的基极电流,从而产生三极管的电流控制关系,变成集电极电流的变化。

3、输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式(输出电压或输出电流)。

扩展资料:

产品作用

晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。

将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

温馨提示:内容为网友见解,仅供参考
第1个回答  2013-07-28
1 三极管的结构和分类

其共同特征就是具有三个电极,这就是“三极管”简称的来历。通俗来讲,三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。
上述三层结构即为三极管的三个区, 中间比较薄的一层为基区,另外两层同为N型或P型,其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区,另一层则为集电区。三极管的这种内部结构特点,是三极管能够起放大作用的内部条件。
三个区各自引出三个电极,分别为基极(b) 、发射极(e)和集电极(c)。
如图b所示,三层结构可以形成两个PN结,分别称为发射结和集电结。三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向。
三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结,因此当然可以用作开关元件,但同时三极管还是一个放大元件,正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展。

2 三极管的电流放大作用

直流电压源Vcc应大于Vbb,从而使电路满足放大的外部条件:发射结正向偏置,集电极反向偏置。改变可调电阻Rb,基极电流IB,集电极电流Ic 和发射极电流IE都会发生变化,由测量结果可以得出以下结论:
(1) IE = IB + IC ( 符合克希荷夫电流定理)
(2) IC ≈ IB ×? ( ?称为电流放大系数,可表征三极管的电流放大能力)
(3)△ IC ≈ △ IB ×?
由上可见,三极管是一种具有电流放大作用的模拟器件。

3 三极管的放大原理

以下用NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大
原理,
1、发射区向基区扩散电子:由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子(自由电子)不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE。
2、电子在基区扩散和复合:由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子:由于集电结反向偏置,可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC。
4 三极管的输入输出特性
三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时,基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线。
对硅管而言,当UCE超过1V时,集电结已经达到足够反偏,可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。如果此时再增大UCE ,只要UBE保持不变(从发射区发射到基区的电子数就一定), IB也就基本不变。就是说,当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的。
由图可见,和二极管的伏安特性一样,三极管的输入特性也有一段死区,只有当UBE大于死区电压时,三极管才会出现基极电流IB。通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V。在正常工作情况下,NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6~0.7V,PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2~ -0.3V。
三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时,集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线。在不同的IB下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线。通常把输出特性曲线分为三个工作区:
1、放大区:输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区, IC = IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区。三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使UBE>0,UBC<0。
2、截止区: IB = 0的曲线以下的区域称为截止区。实际上,对NPN硅管而言,当UBE<0.5V时即已开始截止,但是为了使三极管可靠截止,常使UBE≤0V,此时发射结和集电结均处于反向偏置。
3、饱和区:输出特性曲线的陡直部分是饱和区,此时IB的变化对 IC的影响较小,放大区的?不再适用于饱和区 。在饱和区, UCE<UBE,发射结和集电结均处于正向偏置。
第2个回答  2013-07-28
三极管能够放大信号必须具备一定的外部条件,即给三极管的发射结加正向电压(习惯称正向偏置或正偏),集电结加反向电压(习惯称反向偏置或反偏)。三极管的主要应用分为两个方面。一是工作在饱和与截止状态,用作晶体管开关;二是工作在放大状态,用作放大器。放大区:此时IC=�0�8IB,IC基本不随UCE变化而变化,此时发射结正偏,集电结反偏。放大状态 : uB>0,发射结正偏,集电结反偏,iC=βiB。本回答被网友采纳
第3个回答  推荐于2017-09-22
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。
第4个回答  2013-07-28
三极管放大的基本条件是:集电极反偏,发射极正偏

三极管放大的内部条件和外部条件是什么?求精确答案,详解???
外部条件:发射结正偏,集电结反偏。内部条件:发射区掺杂浓度较高,基区很薄,集电区面积较大。集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。放大状态下集电极电流Ic,Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即为...

三极管处于放大区的条件
三极管处于放大区的条件是:1、发射结正偏,集电结反偏。2、基极电流满足0<Ib<Ibs,其中Ibs为基极的临界饱和电流。注:以上两个条件是并列的,满足任何一个都可以判定三极管处于放大区。三极管放大区的定义:在晶体三极管中,放大区也称为线性区。即当集电极和发射极的电压VCE大于一定的数值时,集电极电...

三极管工作在放大区的条件
晶体三极管工作在放大区内的条件是:发射结正偏,集电结反偏。三极管的发射极加正向电压,集电极加反向电压导通后,IB控制IC,IC与IB近似于线性关系。三极管的三种状态也叫三个工作区域,即:截止区、放大区和饱和区。截止区,即三极管工作在截止状态,IB=0,IC几乎等于0,仅有极微小的反向穿透电流Iceo...

三极管放大条件?
三极管放大的条件是有合适的偏置,也就是说发射结正偏,集电结反偏,组成原则如下:1、保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态,即有合适的偏置。也就是说发射结正偏,集电结反偏。2、输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极,形成变化的基极电流,从而产生三极管的电流控制关系,变成集...

三极管放大条件
所以放大条件是:发射结(B-E之间)正偏,集电结(B-C)反偏。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。

三极管处于放大状态要满足什么条件?
三极管处于放大状态的条件为:发射结正偏,集电结反偏。三极管的放大状态就是发射结正偏、集电结反偏的一种工作状态。因为BJT是电流控制的器件,故放大状态的输出电流与输入电流成正比。放大性能用电流放大系数表示(共基极组态是α和共发射极组态是β)。对于共基极组态有:Ic=α Ie;对于共发射极...

三极管具有电流放大作用的条件是什么?
三极管能够放大信号必须具备一定的外部条件,即给三极管的发射结加正向电压(习惯称正向偏置或正偏),集电结加反向电压(习惯称反向偏置或反偏)。三极管的主要应用分为两个方面。一是工作在饱和与截止状态,用作晶体管开关;二是工作在放大状态,用作放大器。IB,IC基本不随UCE变化而变化,此时发射结正...

三极管放大电压的电路要满足什么条件才能放大电压
1、三极管放大电路必须处于共射放大和共基放大状态。2、三极管必须要有正确的偏置-发射结正偏、集电结反偏。3、交流通路必须保证输入、输出通道畅通。

晶体三极管放大的外部条件是?
内部条件是基区薄、杂质浓度低,集电区体积大,杂质浓度不高;发射区杂质浓度最高 外部条件是发射结正偏,集电结反偏 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。

三极管工作于放大状态的条件及特点
普通三极管(BJT)工作在放大区的条件:发射结处于正偏,集电结处于反偏,即VB>VE,VC>V B;特点:集电极的电流随基极电流的变化而变化,并处于电流在放大状态。

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