如何判断晶体管的放大倍数?

三极管的基本知识!

在手册中,常用β(集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比),或参数hfe来表示(其含义是:输出短路时,共发射极电路电流放大系数)。电流放大系数对放大器的工作影响其实并不很大。
  1、现在用的放大器中,一般都加有深度负反馈。这样,放大器的放大倍数主要取决于反馈系数,与三极管的电流放大倍数没有多大关系。
  2、从放大器的电压放大倍数来看:电流放大倍数越大,电压放大能力越大,但三极管的输入电阻也越大,总的电压放大倍数并没有很明显的变大。三极管的电流放大系数大了,困为输入电阻大,能提高前一级放大电路的交流负载阻抗,使前级的电压放大倍数变大(或者说从信号源取得的功率比较小)。
温馨提示:内容为网友见解,仅供参考
第1个回答  2020-12-29

用数字万用表测量三极管类型、管脚位置、放大倍数以及好坏判断

第2个回答  2013-06-06
晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示晶体管放大能力。
根据晶体管工作状态的不同,电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。
1.直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数,是指在静态无变化信号输入时,晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值,一般用hFE或β表示。
2.交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数,是指在交流状态下,晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值,一般用hfe或β表示。
hFE或β既有区别又关系密切,两个参数值在低频时较接近,在高频时有一些差异。
※ 耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。
通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
※ 频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。
晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。
1.特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时,其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。
通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管,将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管,将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
2.最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
通常,高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα,而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,晶体管的β值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至还会损坏。
最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
1.集电极——发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时,其集电极与发射极之间的最大允许反向电压,一般用VCEO或BVCEO表示。
2.集电极——基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时,其集电极与基极之间的最大允许反向电压,用VCBO或BVCBO表示。
3.发射极——基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时,其发射极与基极与之间的最大允许反向电压,用VEBO或BVEBO表示。
※ 反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。
1.集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。
2.集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。
如何用万用表测试三极管
(1) 判别基极和管子的类型
选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一个管脚,重复上述步骤,又测得一组电阻值,这样测3次,其中有一组两个阻值都很小的,对应测得这组值的红表笔接的为基极,且管子是PNP型的;反之,若用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,若测得两个阻值都小,对应黑表笔为基极,且管子是NPN型的。
(2)判别集电极
因为三极管发射极和集电极正确连接时β大(表针摆动幅度大),反接时β就小得多。因此,先假设一个集电极,用欧姆档连接,(对NPN型管,发射极接黑表笔,集电极接红表笔)。测量时,用手捏住基极和假设的集电极,两极不能接触,若指针摆动幅度大,而把两极对调后指针摆动小,则说明假设是正确的,从而确定集电极和发射极。 3) 电流放大系数β的估算本回答被网友采纳

如何判断晶体管的放大倍数?
1、现在用的放大器中,一般都加有深度负反馈。这样,放大器的放大倍数主要取决于反馈系数,与三极管的电流放大倍数没有多大关系。2、从放大器的电压放大倍数来看:电流放大倍数越大,电压放大能力越大,但三极管的输入电阻也越大,总的电压放大倍数并没有很明显的变大。三极管的电流放大系数大了,困为输...

晶体管如何测放大倍数
利用万用表来测量。1、如果是PNP晶体管,那么将晶体管的集电极(c)和基极(b)放在万用表两端测量即可。2、如果是NPN晶体管,那么将晶体管的发射极(e)和基极(b)放在万用表两端测量即可。当然,放大倍数分为交流放大倍数和直流放大倍数,在测量的时候一定要注意将万用表调到相应的直流档或交流档。根据...

晶体三极管 如何判断晶体管放大倍数?
当NPN型三极管工作在线性放大区时,流入电流较大的一极为集电极,流入电流较小的一极为基极,集电极电流与基极电流的比值,叫做共发射极电流放大系数,用Hfe或β表示。β = 1mA÷10μA = 100(倍)。

万用表hfe档位是什么?
通过这个档位,可以测量晶体管在一定输入信号下的输出电流与输入电流的比值,即电流放大倍数。这个参数是衡量晶体管性能的重要指标之一。如何使用HFE档位进行测量?使用HFE档位进行测量时,需要将万用表调整到HFE档位,并将万用表的输入端连接到晶体管的输入端,输出端连接到负载。然后,通过调整万用表的...

晶体管的放大倍数
晶体管的放大倍数与工作电流和工作电压有关(即与工作点有关),因此,不同型号晶体管的工作电流和工作电压不同,则放大倍数以及能够放大工作的范围也就不同。

晶体管电压放大倍数的问题
输出电阻=晶体管的本征输出交流电阻||负载电阻(即等于并联的等效电阻)。所以,晶体管的放大倍数与输出电阻有关。如果输出电阻不变,则放大倍数也不会变化。晶体管在线性放大工作状态下,只要输入电压幅度不超过线性范围,则电压放大倍数不应该变化,否则该放大器就不稳定了。

如何计算晶体管的电流放大倍数?
晶体管的电流放大倍数(β值)可以通过以下公式来计算:β = ΔIc \/ ΔIb 其中,ΔIc是集电极电流的变化幅度,ΔIb是基极电流的变化幅度。通常情况下,晶体管的电流放大倍数也可以通过测量集电极电流和基极电流来计算。首先测量基极电流Ib,然后测量对应的集电极电流Ic,最后用Ic除以Ib即可得到电流放大倍数...

晶体管的电流放大倍数与放大电路的电压放大倍数有何区别?
晶体管的电流放大倍数是基极电流IB与集电极电流IC的比值β,β=IC\/IB,这个代表三极管的电流控制能力,一般希望稍微大一些例如100-1000,有时候为了更大的数值采用达林顿接法,用2个三极管组合在一起使β=5000-10000.放大电路的电压放大倍数是指输出电压与输入电压的比值,A=V0\/VI 这个数值与β有关系,...

晶体管图示仪怎样算三极管放大倍数、功率?
X轴为电压,Y轴为集电极电流曲线为自下而上的不同基极电流下的放大特性最下0微安按幅度倍乘向上递高。曲线上某一点对应的IC[ma]\/Ib[ua]即该管的放大倍数。图示仪不看功率。

怎么看晶体三极管参数?
①电流放大倍数P。它是衡量晶体管放大能力的一个主要参数,由集电极电流变化量与基极电流变化量的比值来表示,即(3=A\/yA\/b,p值在20~100之间。(3太高会使晶体管性能不稳定;p太低会导致放大作用不好。②反向饱和电流\/eb0。它是当发射极开路时,集电极与基极间的反向电流。这个数值要求越小越好。...

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