与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具有耐受高电压电流的能力?

如题所述

造成电力二极管和信息电子电路中的普通二极管区别的因素:

1、正向导通时要流过很大的电流,其电流密度较大,因而额外载流子的注入水平较高。

2、电导调制效应不能忽略引线和焊接电阻的压降等都有明显的影响承受的电流变化率di/dt较大,因而其引线和器件自身的电感效应也会有较大影响。

3、为了提高反向耐压,其掺杂浓度低也造成正向压降较大。

扩展资料:

电力二极管重要类型:

1、普通二极管

普通二极管(General Purpose Diode)又称整流二极管(Rectifier Diode),多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。

2、快速恢复二极管

恢复过程很短特别是反向恢复过程很短(5μs以下) [1]  的二极管,也简称快速二极管。 工艺上多采用了掺金措施,结构上有的采用PN结构类型,也有的采用对此加以改进的PiN结构。

3、肖特基二极管

以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管,简称为肖特基二极管。肖特基二极管的优点在于:反向恢复时间很短(10~40ns),正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管

参考资料来源:百度百科-二极管

参考资料来源:百度百科-电力二极管

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第1个回答  推荐于2018-03-02
1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。本回答被网友采纳
第2个回答  2011-09-10
电力工业用二极管一般叫硅整流元件,PN结面积大以承受大电流,多元件串结以耐高电压,外观结构有螺栓(螺旋)型、平板型。高压元件有陶瓷封装型, 并配用风冷散热器作风冷元件配水冷散热器作水冷元件。本回答被网友采纳
第3个回答  2014-02-25
电力二极管具有垂直结构 使得其具有耐大电流的作用
电力二极管在P区和N区之间有一层掺杂N区使得其具有耐高电压的能力
第4个回答  2011-09-11
增加外延层及其厚度。不过,这绝非一两句话就能说清楚的。请看看电力电子和半导体工艺方面的资料。

与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具...
3、为了提高反向耐压,其掺杂浓度低也造成正向压降较大。

...相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电压和大电流的能力_百...
1.目前电力 MOSFET 大多采用了垂直导电结构,增大了通过电流的有效面积,使其能够承受更大的电流。2.电力MOSFET多了个低掺杂N区,该区由于掺杂浓度低,使得其接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,因此能承受高电压。

...相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电压和大电流的能力_百...
第一点:电力 MOSFET 大多采用了垂直导电结构,增大了通过电流的有效面积,使其能够承受更大的电流。第二点:电力通常需要高压大电流的mosfet,信息电子电路相比电力,电压和电流都小很多,mosfet的耐压和电流自然小些。第三点:电力MOSFET多了个低掺杂N区,该区由于掺杂浓度低,使得其接近于无掺杂的纯半...

...相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电压和大电流的能力_百...
大多采用了垂直导电结构,增大了通过电流的有效面积,使其能够承受更大的电流。第二点:电力通常需要高压大电流的mosfet,信息电子电路相比电力,电压和电流都小很多,mosfet的耐压和电流自然小些。第三点:电力MOSFET多了个低掺杂N区,该区由于掺杂浓度低,使得其接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,...

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