晶体三级管的电流放大系数随温度升高而
升高。晶体三极管有3个参数收到温度影响比较大，当温度升高时，Vbe会下降，hFE会升高，Iceo升高。
我马上要考电工了,请高手们给我一些关于电工的题目和答案吧!
17 、晶体三极管的电流放大系数随温度升高而 增大 。 18 、一台三相交流异步电动机的型号是 YB-132 M 2-6 ,其符号意义是:Y表示 异步电机 , 132 表示 中心高为 132mm , M 表示 电机座 , 2 表示 2 号铁心长度 , 6 表示 极数 。 19 、一个自动控制系统,一般由 输入 环节、 放大 环节、 执行 环节...
1 发射结反向偏置的晶体管一定工作在截止状态 ( )对错 .?
1一般来说是对的,但工作在震荡状态,可能测出反偏.2一般来说,晶体三极管的电流放大系数表示为β值不随随温变化而变化,穿透电流会随温度升高而升高 3晶体三极管的交流放大系数表示为β=IC\/IB,它不随工作点改变而改变,不一定,具有正向AGC特性的晶体管,随工作点升高而降低,某些却升高.4 共射级放大电路...
三极管的特性
三极管最基本的和最重要的特性：晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。将ΔIc\/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。当...
三级管参数
Icbo=(1+β)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结...
三极管的主要参数
特征频率：当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。电压\/电流：用这个参数可以指定该管的...
开关三极管具有放大能力吗?
常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管。- 放大区：当晶体三极管发射结处于正偏而集电结...
什么是晶体管?
晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。一、晶体管的种类 晶体管有多种分类方法。（一）按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管...
晶体管 2655 是什么东西???
晶体管 晶体管(transistor 计:MOS transistor; npn 化:transistor)【简介】 晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路,叫做晶体管-晶体管逻辑电路,书刊和实用中都简称为TTL电路,它属于半导...
1 发射结反向偏置的晶体管一定工作在截止状态 ( )对错 ...
1一般来说是对的，但工作在震荡状态，可能测出反偏。2一般来说，晶体三极管的电流放大系数表示为β值不随随温变化而变化，穿透电流会随温度升高而升高 3晶体三极管的交流放大系数表示为β=IC\/IB，它不随工作点改变而改变，不一定，具有正向AGC特性的晶体管，随工作点升高而降低，某些却升高。4 共射级...
