关于三极管的计算？

Question

有没有大佬，求教

Answer 1

三极管放大电路计算
一、共发射极放大电路
（一）电路的组成：电源VCC通过RB1、RB2、RC、RE使晶体三极管获得合适的偏置，为三极管的放大作用提供必要的条件，RB1、RB2称为基极偏置电阻，RE称为发射极电阻，RC称为集电极负载电阻，利用RC的降压作用，将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放大。与RE并联的电容CE，称为发射极旁路电容，用以短路交流，使RE对放大电路的电压放大倍数不产生影响，故要求它对信号频率的容抗越小越好，因此，在低频放大电路中CE通常也采用电解电容器。
三极管放大电路计算
Vcc(直流电源): 使发射结正偏，集电结反偏；向负载和各元件提供功率
C1、C2(耦合电容): 隔直流、通交流；
RB1、RB2(基极偏置电阻)： 提供合适的基极电流
RC(集极负载电阻)： 将 DIC ? DUC ，使电流放大 ? 电压放大
RE(发射极电阻)： 稳定静态工作点“Q ”
CE(发射极旁路电容)： 短路交流，消除RE对电压放大倍数的影响
（二）直流分析：开放大电路中的所有电容，即得到直流通路，如下图所示，此电路又称为分压偏置式工作点稳定直电流通路。电路工作要求：I1 ?(5~10)IBQ，UBQ? (5 ~ 10)UBEQ 838电子
三极管放大电路计算
求静态工作点Q：
方法1.估算
三极管放大电路计算

工作点Q不稳定的主要原因：Vcc波动，三极管老化，温度变化稳定Q点的原理：
三极管放大电路计算

方法2.利用戴维宁定理求 IBQ
三极管放大电路计算
三极管放大电路计算
（三）性能指标分析
将放大电路中的C1、C2、CE短路，电源Vcc短路，得到交流通路，然后将三极管用H参数小信号电路模型代入，便得到放大电路小信号电路模型如下图所示。

三极管放大电路计算
1.电压放大倍数
三极管放大电路计算

2.输入电阻计算
三极管放大电路计算

3.输出电阻 Ro = RC
没有旁路电容CE时：
三极管放大电路计算
1.电压放大倍数
三极管放大电路计算

源电压放大倍数
三极管放大电路计算

2.输入电阻
三极管放大电路计算

3.输出电阻 Ro = RC

二、共集电极放大电路 (射极输出器、射极跟随器)
（一）电路组成与静态工作点
共集电极放大电路如下图(a)所示，图(b)、(c)分别是它的直流通路和交流通路。由交流通路看，三极管的集电极是交流地电位，输入信号ui和输出信号uo以它为公共端，故称它为共集电极放大电路，同时由于输出信号uo取自发射极，又叫做射极输出器。
IBQ =(Vcc–UBEQ)/[RB +(1+b) RE] ICQ = bIBQ，UCEQ=Vcc–ICQRE

（二）性能指标分析
三极管放大电路计算 三极管放大电路计算

1.电压放大倍数
三极管放大电路计算
2.输入电阻
三极管放大电路计算

R?L=RE//RL
3.输出电阻
三极管放大电路计算

共集电极电路特点 共集电极电路用途
1.Uo与Ui同相，具有电压跟随作用 1.高阻抗输入级
2.无电压放大作用 Au<1 2.低阻抗输出级
3.输入电阻高；输出电阻低 3.中间隔离级
一、共基极放大电路
共基极放大电路如下图所示。由图可见，交流信号通过晶体三极管基极旁路电容C2接地，因此输入信号ui由发射极引入、输出信号uo由集电极引出，它们都以基极为公共端，故称共基极放大电路。从直流通路看，也构成分压式电流负反馈偏置。
三极管放大电路计算
（一）求“Q”略
（二）性能指标分析
三极管放大电路计算
RO=RC
（三）特点：共基极放大电路具有输出电压与输入电压同相，电压放大倍数高、输入电阻小、输出电阻大等特点。由于共基极电路有较好的高频特性，故广泛用于高频或宽带放大电路中。

Answer 2

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。如右图所示
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic