单片机中MOS啥意思??请知道的告诉一声~~~

如题所述

在集成电路中绝缘性场效应管被叫做mos管。   MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。从结构上说,MOS管可以分为增强型(E型)和耗尽型(D型),它们的区别在于当Vgs为0时,增强型(E型)不存在导电沟道,耗尽型(D型)存在导电沟道,原因是E型的导通电压(阈值电压)Vth>0,D型的Vth<0。MOS管形成的电路通称为MOS电路,但又有不同,PMOS逻辑电路称为PMOS电路,NMOS逻辑电路称为NMOS电路,PMOS和NMOS共同组成的逻辑电路称为CMOS集成电路,MOS和BJT组成的电路称为Bi-CMOS集成电路。由于MOS管静态功耗几乎为0,所有的功耗都集中在开关转换的过程中,因此相对BJT而言,MOS管的功耗更低。因此,在现代工业设计中,MOS管主要用于数字逻辑电路中实现开关逻辑(0、1逻辑)。   MOS结构:MOS管一般有3个电极,S(源source)极,D(漏drain)极,G(栅gate)极,从掺杂浓度来说,S极和D极并无区别,在NMOS管中,当两者其中一端接GND时,就起到了S的作用,另外一端就成了D;而在PMOS管中,当两者其中一端接VCC时,就起到了S的作用,另外一端就成了D。MOS管的S端总是比D端先开启。对NMOS来说,当Vgs>Vds,Vgs-Vth<Vds时,S端开启,D端不开启,MOS管工作在饱和区;当Vgs-Vth<Vds时,S和D都开启,MOS管工作在线性区。当Vgs<Vth时,NMOS截止。对PMOS来说,正好相反。   在MOS三明治型结构上外加电压:   在MOS三明治结构上,金属电极相对于P型半导体的情况下,外加正电压,对N型半导体外加负电压,就会形成与PN结合面相同的现象,也就是最初在氧化膜下会产生空乏层(depletion layer)   反转层(reversion layer):   针对氧化膜下为P型半导体的情况,如果再提高电压,就会累积电子,若是N型半导体则会累计空穴,我们称此层为“反转层”。   MOS型场效应管就是利用这个层,作为一个切换开关。这是因为改变外加电压,就可使此电路产生切换的转换(开关)功用。

参考资料:百度百科

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第1个回答  2011-11-08
金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。本回答被网友采纳
第2个回答  2011-11-09
场效应管,它基本上是电压控制,消耗端口电流一般是nA级甚至更小。而且速度也比三极管快,功率也大。我买过一个就几元钱却可以通过100多A的电流,而索取的控制电流相对于单片机最小功耗下的电流都可以忽略不计。

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先解释下概念:开漏:也就是MOS管的漏极开路,通俗的讲单片机的输出的IO口是通过寄存器控制一个MOS管来实现的,这个MOS管怎么接的呢,就是控制器连接MOS管的栅极,而源极是接电源的负极的,那漏极就什么都没有接是连接到IO口上的,这就叫漏极开路,上拉,就是开漏基础上在漏极和电源之间接一个...

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