MOSFET场效应管的三个接线柱怎么接啊?

如题所述

对于MOSFET型场效应管来说,他有三个电极,即栅极G(控制)、漏极D和源极S(被控制),对于N沟道的(就是箭头指向栅极的内个)D、G接高电平(+),S接低电平(-),D、S导通(VGS要大于夹断电压,约为1V左右,根据管子不同夹断电压也不同),电流方向为D-->S 一般G的电压(相对于S)不能大于30V,否则会击穿!(一般为10V左右)同时DS两端的耐压,和所能承受的电流也一个考虑到(例如2N60B IDS=2A VDS=600V)最后还有跨导(gm)
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第1个回答  2011-11-19
如图甲所示的电池盒,盒外有三个接线柱A、B、C;盒内有三个5号电池插槽,六个接线柱a、b、c、d、e、f;部分连接好的导线已画出,如图14乙中虚线所示.选接盒外不同接线柱,可从该电池盒获得1.5V、3V、4.5V三种输出电压.请你在图14乙的虚线框内,用笔画线代替导线将三节干电池(用元件符号表示)连接起来,组成一个符合实际的电源,并满足下列要求:

(1)AB间电压1.5V (A为负极,B为正极);

(2)BC间电压3V (B为负极,C为正极);

(3)AC间电压4.5V (A为负极,C为正极).本回答被网友采纳

MOSFET场效应管的三个接线柱怎么接啊?
对于MOSFET型场效应管来说,他有三个电极,即栅极G(控制)、漏极D和源极S(被控制),对于N沟道的(就是箭头指向栅极的内个)D、G接高电平(+),S接低电平(-),D、S导通(VGS要大于夹断电压,约为1V左右,根据管子不同夹断电压也不同),电流方向为D-->S 一般G的电压(相对于S)不...

MOSFET场效应管的三个接线柱怎么接?
六个接线柱a、b、c、d、e、f;部分连接好的导线已画出,如图14乙中虚线所示.选接盒外不同接线柱,可从该电池盒获得1.5V、3V、4.5V三种输出电压.请你在图14乙的虚线框内,用笔画线代替导线将三节干电池(用元件符号表示)连接起来,

场效应管的三个引脚怎么接?
G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。无论...

请问N沟道、耗尽型的场效应管的三个管脚怎么接?
源极(S)接负载电源负极(模拟地),漏极(D)接负载输出负极,负载输入正极直接接负载电源正极。当栅极\/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压(通常为1.2V),源极(S)到漏极(D)导通,导通电流很小,可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极,负载工作。当栅极\/基极(G)电压...

什么栅极,源极,漏极?
栅极、源极、漏极是场效应晶体管的三个主要电极。首先,栅极是MOSFET的控制端,它决定了电流的导通与否。在N沟道MOSFET中,当栅极接正电压时,会吸引电子到栅极下面的氧化层,形成一个导电沟道,从而使源极和漏极之间可以流过电流。栅极电压越高,沟道的导电能力就越强,从源极到漏极的电流就越大。...

图解使用数字万用表测量场效应管MOS管
如下图:用二极管档对MOS管的测量,首先要短接三只引脚对管子进行放电。1然后用红表笔接S极。黑表笔接D极。如果测得有500多的数值,说明此管为N沟道。2黑笔不动,用红笔去接触G极测得数值为1。3红笔移回到S极。此时管子应该为导通。4然后红笔测D极。而黑笔测S极。应该测得数值为1。(这一...

MOS管的三条引线分别是什么?
1. G(Gate,栅极):这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压,你可以控制MOSFET的通道的导电性,从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。2. S(Source,源极):这是MOSFET的源极,通常是电流进入MOSFET的地方。3. D(Drain,漏极):这是MOSFET的漏极,通常是电流离开MOSFET...

如何区分MOS管的三个电极的引脚?
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的三个电极通常标记为G、S和D,分别代表栅极、源极和漏极。1. G(Gate,栅极):栅极是MOSFET的控制端。通过向栅极施加电压,可以控制MOSFET导通或截止。当栅极电压较高时,MOSFET导通;当栅极电压较低时,MOSFET截止。2. S(Source,源极):源极是电流流入...

F1010E 三极管 是什么类型的管 这个线路图怎么看 怎么焊
回答:以你拿的元件情况从左到右依次是G-D-S是场效应管.D接变压器线圈,S极接地,G接输入即可。注意场效应管的散热!此电路多用于升压-逆变电路。

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