光波导的散射分为两种类型:体散射和界面散射。体散射是由于光波导体材料的缺陷造成的,如空洞、杂质原子和晶格缺陷等。界面散射是由于光波导芯层和包层界面的粗糙度引起的。体散射在
硅材料中一般可以忽略。但如离子注入等工艺引入较多的晶格缺陷时,这类损耗也不可忽视。体散射损耗与缺陷数目、传输波长尺寸、沿着光波导的相关长度等参数有关。界面散射损耗研究广泛,相关的计算方法也有不少,我们引入一种比较简单的方法,即Tien等人在1971年提出来的基于表面功率
镜面反射的理论囵。条件是相关长度较长,这是在大多数情况下都比较合理的假设。
如果入射
光功率为pj,镜面反射的功率为pr,则
式中,σ是
表面粗糙度的均方差;σ1是光波导的传输角;n1是芯层的
折射率。考虑通过一段距离的总功率流和光在两表面的损耗,Tien推出了界面损耗的
表达式为
式中,σ2是上包层的粗糙度方差;σ2是下包层的粗糙度方差;kyu是上包层的衰减常数;kyl是下包层的衰减常数;尼是光波导长度。
还有一种较常用的表面散射损耗计算方法[7]:
式中,k只与表面粗糙程度有关,θ1代表模角,与模阶数有关,Dv是光波导的有效厚度;可见表面损耗与表面粗糙程度、模阶数成正比,而与光波导有效宽度成反比。对于小截面光波导,在相同界面粗糙程度下,光波导有效宽度较小,光场与光波导侧壁相互作用增强,导致散射损耗值很大,占据主导地位,所以这种光波导对
刻蚀工艺有更高要求。
目前,已经有一些减小光波导侧壁粗糙度的方法被提出,并取得了较好的效果,如氧化物平滑技术,即先对硅进行热氧化然后再将其腐蚀去除。这无疑会改善光波导侧壁的粗糙度,但同时也会使光波导变窄,不过这个问题可以通过适当调整模版图形设计来改善。
Ming-Chang M.Lee等人网采用氢气热退火工艺使得硅光波导侧壁粗糙度减小到0.26 nm,在近红外波长下传输损耗小于1 dB/cm,并成功制作了宽0.5μm、高0.2μm的低损耗条光波导。
Daniel K.Sparacin等人阴采用湿化学氧化平滑工艺,使得光波导损耗在1550 nm波长时减小到1.9 dB/cm,这种工艺较前面提到的氧化物平滑工艺更能保持光波导的完整性(前者使光波导截面尺寸发生较大改变)。
另外,因为脊形光波导光模与光波导侧壁的作用较小,所以也可以通过制作截面尺寸稍大的脊形光波导来进行缓解。L.Vivien等人[10]利用SOl制作了低损耗脊形光波导,光波导宽度为1 gm夕脊形光波导由200 nm的硅刻掉30 nm形成,当输入光波长为1.31μm时的传输损耗可低至0.5dB/cm,利用这种光波导等成功地制作了长程损耗为26 dB的光树形分路器。