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需要各自的驱动方式及其驱动功率
追答只了解IGBT和mos
GTO ,GTR IGBT, MOSFET 频率范围分别为多少?
GTO一般最高只能做到几百Hz,但功率较大，已达到3000A、4500V的容量。GTR目前其额定值已达1800V\/800A\/2kHz、1400v\/600A\/5kHz、600V\/3A\/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序...
IGBT同GTO的分别,好,坏处??
6.GTO具有再生性质(regenertive nature)，因此导通的 GTO，其闸极驱动功率较功率电晶体小，但是比SCR大些。 7.在早期GTO容量均不大，仅能做触发用，但目前已可做出大容量之GTO，其额定容量可高达2500V\/2000 IGBT同GTO的分别 好 坏处??参考: 天之心 THANKS ...
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详...
IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。参考资料：百度百科
GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子元件,试给出各元件的主要...
GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 。GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制...
MOSFET对比
相比之下，IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种更为先进的功率器件，它是在MOSFET和GTR（功率晶管）的基础上创新而来。IGBT的结构包括集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)，其显著特点是击穿电压高达1200V，这远超MOSFET。而且，它的集电极最大饱和电流已经可以达到惊人的1500A以上，这意味着IGBT在电流处理能力...
目前常用的全控型电力电子器件有哪些
2、GTR（电力晶体管）。3、MOSFET（电力场效应晶体管）。4、IGBT（绝缘栅双极晶体管）。5、这些全控型电力电子器件在电力电子技术中有着广泛的应用，如GTO主要用于一些特大容量场合，IGBT主要应用在电机控制，中频电源，开关电源等场合，MOSFET具有驱动功率小，高频特性好，热效应好，没有二次击穿，开关...
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点?
1. IGBT的优点包括开关速度高、开关损耗小、耐脉冲电流冲击能力强、通态压降较低、输入阻抗高，并且是电压驱动，驱动功率小。缺点是开关速度低于电力MOSFET，电压和电流容量不及GTO。2. GTR的优点是耐压高、电流大、开关特性好、通流能力强，饱和压降低。缺点是开关速度低，采用电流驱动，所需的驱动功率...
gto、gtr、mosfet、igbt的区别是什么?
3. MOSFET（电力场效应晶体管）：驱动电路相对简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高。其热稳定性优于GTR，但电流容量较小。4. IGBT（绝缘栅双极型晶体管）：结合了GTR和MOSFET的优点，同样具有电导调制效应和强大的通流能力。然而，其开关速度较慢，所需驱动功率较大，驱动电路也较为复杂。
大功率晶体管的性能比较
功率容量比较GTO（6000V\/6000A）>SITH>MCT>IGBT（2500V\/1000A）>GTR（1800V\/400A）>SIT>功率MOSFET（1000V\/100A）4、通态电阻比较功率MOSFET>SIT>SITH>GTO>IGBT>GTR>MCT5、控制难易程度比较电压控制型控制较电流控制型更容易控制，但其中的SIT属于常开型器件，控制难度大于功率MOSFET和IGBT。
请问IGBT、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点
电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。 本回答由提问者推荐 举报| 答案纠错 | 评论(1) 34 1 1444423 采纳率:33% 擅长: 理工学科 烦恼 军事 文化\/艺术 其他回答 找书 zjbdbdwk | 发布于2011-10-28 举报| 评论 1 13 ...
