而且不考虑这个指标，一般考虑峰值电压电流本回答被网友采纳
一般IGBT能承受的dv\/dt和di\/dt在什么范围?
关于dv\/dt和di\/dt对于IGBT来讲是非常关键的两个参数，因为他和电路中的工作频率直接相关联，当知道电路的工作频率、回路电流最大值之后既可以测算出电路工作的di\/dt,当知道电路中的工作电压后既可以测算出电路工作的dv\/dt，根据这两个参数去选择对应的IGBT参数，IGBT的这两个参数在参数表中有，当然选...
IGBT的“di\/dt”、“dv\/dt”具体指的是什么?
具体如下：di\/dt电流上升(速)率，dv\/dt电压上升(速)率。IGBT从阻断到导通总得有一个从小到大的过程，这个过程越快越好，比如说每微秒增加多少安培。写成di\/dt就是电流的增量与所用时间之比。IGBT从导通到阻断也得有一个过程，在这个过程中，IGBT承受的电压有一个从小到大的过程，这个过程越快越好...
IGBT主要技术参数!
换句话说,通过改变 Rg值,可以改变与Rg (Cge+Cgc) 值相等的寄生净值的时间常量(如图4所示),然后,改变dV\/dti。数据表中常用的驱动电压是15V。一个电感负载的开关波形见图5,di\/dt是Rg的一个函数,如图6所示,栅电阻对IGBT的导通速率的影响是很明显的。 因为Rg数值变化也会影响dv\/dt斜率,因此,Rg值对功耗的影响...
英飞凌为您解惑!IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么?
不对！上述雪崩击穿测试是静态测试，即在器件未开启，没有导通电流时进行测试，这时器件内部只有少量的自由电子。而实际应用中，最常出现过电压的情况，是在IGBT关断时，快速变化的di\/dt在回路杂散电感上产生感应电压，叠加在母线电压上，使IGBT集电极承受比较高的电压尖峰。在这个过程中，IGBT依然有很大的...
请问IGBT的驱动为何要负电压?如果负电压太低会有什么后果?
负电压主要是为了确保关断IGBT，此外负电压还有一个好处就是防止米勒钳位效应，就是上管开通时产生的高di\/dt 可能导致的下管误触发的情况，具体自己可以在文库里面搜索，文献很多
IGBT\/IGCT为什么很少用来整流?
你是说用在整流器当中？因为IGBT适合在低频场合应用，而整流器一般工作频率都比较高（上百k),所以在逆变器这种低频大功率场合应用比较多，当然，现在有的厂家已经有了可以工作到几十k到一百k的IGBT,可以应用到整流器中。
EMI和EMC
SiC的dv\/dt轻易达到50KV\/us，di\/dt则跑到50KA\/us，PWM的开关速度很容易跑到20KHz，而IGBT系统，水平高的厂家通常10～12KHz，水平不太高的则6～8KHz。差别在哪里呢？开关快了，开关损耗小了，效率提高了，轻易做到98～99%的效率；同时，高压大电流切换带来的电压、电流震荡，不仅影响了自己的控制、...
IGBT吸收电容的选择标准是什么?
电容作用于IGBT,电容本身一般不容易坏，过滤尖峰电压能力好坏对IGBT影响很大 1，如果电压不稳定，IGBT尖峰电压将很大，IGBT很容易被击穿 2.平时不出问题，不代表以后不出问题，如果IGBT尖峰电压反复冲击，IGBT寿命将受影响。之前到访好多用户，发现IGBT被击穿或IGBT寿命短，不耐用，最后发现，他们用的国产...
在实际应用中,如何确定IGBT器件外部栅极电阻的取值?
图2：独立的开通和关断栅极电阻配置 然而，栅极电阻的大小并非一成不变。过大的关断电阻可能导致在IGBT关断过程中，由于dv\/dt和密勒电容Cgc的影响，如图3所示，栅极电压被抬高，可能导致器件寄生开通，影响系统可靠性。反之，过小的电阻可能导致关断时di\/dt过高，造成Vce电压尖峰，增加器件受损风险。因此，...
不间断电源负载冲击导致电源短路怎么办啊?
可以避免快速关断造成的过大di\/dt 损坏IGBT，另外根据最新三菱公司IGBT 资料，三菱推出的F 系列IGBT 的均内含过流限流电路（RTC circuit），当发生过电流，10us 内将IGBT 的启动电压减为9V，配合M57160AL 驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。防止过电压损坏方法有：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流...
