请大侠分析下mos过流保护电路是否可行。

大侠分析下这个过流保护电路是否可行
改过的图

这个你的PWM信号能不能正常驱动都是问题,你看,在你还未驱动时,Q23的基极就有偏置,C极处于导通状态,Q21将失去偏置。追问

图已改过,大侠看下,仿真是没有问题。我现在想请教的是Q23是否可能被击穿损坏的问题。如果负载是容性负载。三极管Veb的击穿电压是5V,请问此图长期稳定性如何?

追答

我不认为这个电路好,你把这个小图的图纸发给我,明天我改给你看看。

追问

之所以这样是,目的是减小采样电阻功耗。用运放来做也可以。成本稍微高点。你的联系方式?QQ?邮箱?

追答

联系方式就算了吧,你是想在R82上如果有0.2-0.3v的电压的情况下就进入保护,使用三极管他的离散性比较大。另外我认为Q24的C极和Q21的C极连接才正确。我不觉得Q23容易损坏。还有Q24应该增加一个基极电阻,即Q23的C和R74的交点到Q24即基极。

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请大侠分析下mos过流保护电路是否可行。
这个你的PWM信号能不能正常驱动都是问题,你看,在你还未驱动时,Q23的基极就有偏置,C极处于导通状态,Q21将失去偏置。

用MOS管和比较器如何搭建一个过流保护的电路啊?请大侠抢救。
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