1.硅晶体三极管发射结的导通电压(门坎电压)约为___V,锗晶体三极管发射结...
0.7v。 0.3v
什么是二极管的压降
只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。反向特性：在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极...
如何检测二极管
只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性: 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时...
晶体二极管击穿的原因
1、齐纳击穿 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。2、雪崩击...
怎样判断二极管导通与截止?
叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边...
二极管导电特性
只有当正向电压达到特定的“门坎电压”或“死区电压”时，比如锗管约为0.1V，硅管约为0.5V，二极管才会真正开始导通。导通后，二极管两端的电压会稳定在一个小范围内，比如锗管约为0.3V，硅管约为0.7V，这就是所谓的“正向压降”。在反向偏置情况下，二极管的特性则有所不同。如果将二极管的正极...
如何判断二极管是否导通?
判断二极管是否导通，通常可以通过以下方法进行：1.正向偏置测试：•将一个简单的电源（例如电池或稳压电源）连接到二极管的两端。•确保二极管的阳极（通常标有环形标记或者带线的一端为负极，也称作阴极）与电源的正极相连，而二极管的阴极与电源的负极相连。这就是正向偏置状态。•如果...
请详细说明二极管的管压降和门坎电压的区别!
这时有门槛电压这个概念。二极管导通之后相当于一个小电阻，这时有管压降这个概念。二、定义不同：门槛电压：是二极管正向导通的起始电压；导通压降和管压降：二极管正向导通时自身压降；三、意义不同：管压降是指二极管导通之后，二极管两端的电压差。门槛电压是指二极管刚好导通时两端的电压差。
模电一道三极管的判断状态题
它比偏置电压还要高，E极电压要高于B极电压一个“门坎电压”，硅管0.7V，锗管0.3V，而C极电压－6V，相对B极电压＋3.5V是PN结的反向偏置被阻断，所以判为BE击穿短路。f 中，射极电压＋6V，基极电压＋5.3V，可以判为be正向偏置的硅管，因它有正常的正偏电压，而集电极上＋5.3V与基极同电位，...
二极管主要特性
与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。对于锗二极管，开...
