ä¸è¬å¤§ç¥ä¼°ç®æ¯æç §é管0.12~0.2Vï¼ç¡ 管0.5~0.7Vãä½æ¯å®é äºæ管并ä¸çæ³ï¼ä¸æ¯æç §æä¸ä¸ªçµåå解导éä¸å¦ï¼èæ¯ä¸ä¸ªéççµåå¢å éæ¸å¯¼éçææ°æ²çº¿ãä¸é¢æ¯1N4007ç¡ äºæ管å®é çµååæ£åçµæµå ³ç³»ï¼å·®ä¸å¤çµæµæ¯å¢å 10åï¼çµåå¢å 0.1Vï¼
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一般硅、锗二极管的死区电压为多少?导通电压后又是多少
一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4007硅二极管实际电压和正向电流关系，差不多电流每增加10倍，电压增加0.1V：uA量级——0.4V；mA量级——0.7V；A量级——1V以...
你好,请问:锗二极管的死区电压和导通电压是多少,还有硅二极管同样!
硅二极管的死区电压0.5 V左右
二极管里的开启电压,导通电压以及反向饱和电流具体是什么意思?
在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大，电流急剧暗加。不同材料的pn结,二极管,三极管导通电压不同，硅材料三极管,硅材料二极管,硅材料pn结导...
比较硅二极管与锗二极管的死区锻压、正向管压降、反向电流及反向电阻...
硅二极管死区电压约0.5伏，锗的0.1伏，正向压降硅0.6~0.7伏，锗0.2~0.3伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。都是这样的 在截止时稳压二极管提供可稳定电压的值 限流二极管提供电流通过的值 在导通是他们上面的压降和电流都很小 稳压二极管在三角形上面的横直线上撇下来一点 ...
二极管的伏安特性
二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。...
[选择题]锗二极管的导通电压为(),死区电压为(),硅二极管的导通电压为...
锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。——以上出自《模拟电子技术》故填CDAB
硅晶体管与锗晶体管有什么异同?
硅晶体管和锗晶体管都具有电流放大作用，所不同的是硅晶体管的死区电压比锗晶体管大；硅晶体管的导通电压约为0.7V，锗晶体管的导通电压约为0.3V；硅晶体管的反向电流比锗晶体管小得多；硅晶体管允许的最高工作温度比锗晶体管高；硅晶体管比锗晶体管稳定性好。
二极管的死区电压是多少?
对于硅二极管，死区电压通常在0.5到0.7伏特之间，最常见的数值是约0.6伏特。这个范围可以根据制造工艺、温度和其他因素而略有不同。对于锗二极管，其死区电压较低，一般在0.2到0.3伏特之间。需要注意的是，在实际应用中，二极管的压降会因二极管类型（例如普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等）、...
硅的死区电压和导通电压分别是多少V
硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的...
锗二极管的死区电压是多少
锗二极管的死区电压约为0.10.3V。死区电压指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。对于锗二极管而言，其死区电压大约在0.10.3V之间。当正向电压超过死区电压后，锗二极管的电阻会变得很小，电流会迅速增长。
