都是这样的 在截止时稳压二极管提供可稳定电压的值 限流二极管提供电流通过的值 在导通是他们上面的压降和电流都很小 稳压二极管在三角形上面的横直线上撇下来一点
比较硅二极管与锗二极管的死区锻压、正向管压降、反向电流及反向电阻...
硅二极管死区电压约0.5伏，锗的0.1伏，正向压降硅0.6~0.7伏，锗0.2~0.3伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。都是这样的 在截止时稳压二极管提供可稳定电压的值 限流二极管提供电流通过的值 在导通是他们上面的压降和电流都很小 稳压二极管在三角形上面的横直线上撇下来一点 ...
比较硅二极管与锗二极管的死区电压、正向管压降、反向电流及反向电阻...
因此，在这些参数方面，硅二极管通常比锗二极管具有更大的死区电压、更大的正向管压降、更小的反向电流和更大的反向电阻。
为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?
回答：与锗相比,硅原子对电子的吸引力更大一些,使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。~能不能再补充说明? 补充: "锗的ni"ni 是什么? 满意答案一粒米8级2009-03-081) 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多,锗管为mA级,硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出...
为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?
与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。
为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?
你说的没错呀。300K下,Si的禁带宽度是1.12eV,GeSi的禁带宽度是0.67eV，所以本征Ge的载流子浓度远高于Si的，其反向饱和电流密度I0也更大。I = I0 * [exp(qV\/(kT)) - 1]所以Ge管开启电压更低。
硅二极管与锗二极管区别!
硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同 3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏...
硅二极管和锗二极管有什么异同?
首先，硅二极管的反向电流远低于锗二极管。在相同温度下，硅的杂质浓度比锗高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下，硅中的少数载流子浓度远低于锗，导致硅二极管的反向饱和电流（Is）非常小。其次，对于二极管的正向电流，只有当电压达到特定的门限电压（Ur）时，电流才会有明显的增长。这个门限电压也被称为...
硅二极管和锗二极管的正向电阻大约为多大
首先二极管正向电阻值是非线性的，其阻值会因所用测量工具不同而不同，所以把它说成压降更为合适，当给一个二极管加上正向电压，硅管压降为0.6-0.8v,锗管为0.2v左右。二极管反向电阻最好为无穷大。
为什么和硅相比,锗二极管受温度影响更大,和死区电压又有什么关系。_百...
一种现象的外在表现都有内在机理。锗二极管的温度性能和死区电压之间 其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小（死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数（负的）的乘积）。因为锗禁带宽度小，所以电子更活跃，受温度的影响...
模电重要知识点总结复习资料
1、在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。 2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性...
