一般地，反相器只有并联使用才会增大驱动能力，单个使用驱动能力比较小。
从另一个角度来看，多个反相器并联使用，相当于降低了输出信号的内电阻，输出电流增大时，在内电阻上产生的电压降较小，所以其驱动能力增大。
集成电路中,反相器 为什么能增大驱动能力
原因就是反相器的扇出系数大。一般地，反相器只有并联使用才会增大驱动能力，单个使用驱动能力比较小。从另一个角度来看，多个反相器并联使用，相当于降低了输出信号的内电阻，输出电流增大时，在内电阻上产生的电压降较小，所以其驱动能力增大。
集成电路中,反相器 为什么能增大驱动能力
只能说，大尺寸的inv有大的驱动能力，小尺寸的inv的驱动能力依然不行。其实所有其他逻辑门都是可以通过增加尺寸而提升驱动能力的，只不过inv结构最为简单，而且两个inv级联即可恢复原信号，所以才经常使用inv来增大驱动能力。
数字集成电路 | CMOS反相器
反相器效果几乎不存在,这里是热噪声引起的问题。虽然降低VDD可以取得更好的VTC特性,但是通常都不使用,原因如下:1.电源电压减小会增大延迟。电压降低,电流减小,电路搬运电子能力减小,完成同样工作,时间消耗会变长。2.动态特性对器件参数(如晶体管阈值电压)的变化会更加敏感。3.可以减小内部噪声,但是对外部噪声会更加敏...
数字集成电路 | CMOS反相器
再生特性，即多次反相后的电平恢复，显示了电路的驱动能力。并非所有反相器都有此特性，电路稳定性受制于器件工艺，但工艺差异对CMOS性能影响较小。降低电源电压虽然能改善VTC特性，但会增加延迟和动态特性敏感性。动态特性中的电容包括栅漏电容、扩散电容和连线电容，影响传播延时。优化延时方法包括减小CL、...
数字集成电路:CMOS反相器(一)静态特性
比如说，掺杂浓度较高的MOS管阈值电压更低，就可以被更快地打开，沟道宽度更宽的晶体管电流的驱动能力更强等等。这些由于工艺波动造成的性能影响在反相器中可以集中体现。当N管做的好，P管做的差时，由于N管驱动能力变强，开关门限Vm就会变得更低，反之则会变得更高。为了更好地克服由于工艺波动带来的...
E\/DMOS集成电路是什么
该电路具有速度快、电压摆幅大、集成密度高等特点，原因是在反相器中采用了耗尽型 MOS 晶体管，使其负载特性接近于理想恒流源的特性，增强了驱动负载能力。E／D MOS 电路和CMOS（ 互补金属-氧化物-半导体 ）集成电路是MOS（ 金属-氧化物-半导体 ）大规模集成电路中比较好的两种电路形式 ，各具特点 ...
反相器在电路中起什么作用
反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。随着微电子技术与工艺的不断发展和创新，以计算机为代表的各类数字电子产品应用越来越广泛，与此同时也面临着更加复杂的电磁环境。CMOS反相器是几乎所有数字集成电路设计...
E\/DMOS是什么
该电路具有速度快、电压摆幅大、集成密度高等特点，原因是在反相器中采用了耗尽型MOS 晶体管，使其负载特性接近于理想恒流源的特性，增强了驱动负载能力。E／D MOS 电路和CMOS（互补金属-氧化物-半导体）集成电路是MOS（金属-氧化物-半导体 ）大规模集成电路中比较好的两种电路形式 ，各具特点。CMOS电路...
电路板上那么复杂的东西,有什么意义吗
集成电路版图设计差不多就这点事了,没有什么花样。 你可能发现最右边的反相器比较大一点,这是为了有较大的驱动能力以使发光二极管有较高的亮度。另一个应该注意的问题是尽量让比较大的电流在铝导电层里流动,铝的导电性能比多晶硅好很多,这一点和双面线路板有点不同,双面线路板两面的导电性能一样好。 top...
一个中小规模集成电路中,与门有必要用与非门和反相器代替吗?
是CMOS集成电路中的基本单元。而与门的最简设计就是与非门加反相器。因此用与非门和反相器代替与门，属于脱裤子放屁，而用与门加反相器取代与非门的话，属于画蛇添足。双输入与非门是4个MOS管，反相器是2个MOS管，与门需要6个MOS管，其电路图就是与非门输出接反相器。希望能帮到你。
