VASP从入门到入土:杂化泛函专项训练(一)
文件准备阶段，分别使用读取和不读取PBE计算的CHGCAR文件进行MgO的HSE混合参数优化计算。结果表明，读取CHGCAR文件达到实验带隙所需的AEXX值较小，而不读取则需稍大。最后，通过比较HSE和PBE0水平下的fcc Ni DOS与PBE进行的计算，可以直观地观察到不同HF势对电子态密度的影响。结果表明，HSE06的影响最为...
一次DFT+AIMD+MD模拟的完美结合!
电子和光学特性 图5展示了使用PBE和HSE06方法计算得出的带状结构。图5提供了HSE06方法专用的PDOS。用HSE06方法获得的能带结构显示了一个约0.06meV的小间隙开口。图6给出了HOCO、LUCO和电子局域函数( ELF )，说明了HOCO和LUCO在TODD-G中的定位。TODD-G上的锂离子吸附 图6展示了在Grimme框架内利用范...
VASP从入门到入土:杂化泛函专项训练(一)
VASP杂化泛函专项训练(一)：带隙计算与参数优化在杂化泛函专项训练中，第一部分着重于计算Si的带隙，使用不同DFT+HF方法（B3LYP、PBE0、HSE06和HF）。首先，以PBE作为基准进行计算，利用CHGCAR和WAVECAR文件加速后续步骤。接着，进行HF+DFT的计算，同样依赖CHGCAR和WAVECAR。计算带隙的步骤是通过脚本“gap...
哈工大PCCP:CASTEP计算二维半导体电子和光学性质
在单层与双层TlPt2S3的能带计算中，间接带隙表明电子激发需要借助声子作用，PBE + SOC方法显示带隙降低，这一结果与VBM和CBM附近的电子轨道自旋分裂有关，影响电子传输路径。HSE06泛函能够更准确地反映过渡金属化合物二维半导体材料的真实带隙情况，而双层TlPt2S3带隙降低，电子跃迁能力增强，价带在费米能级...
Appl. Surf. Sci.:Janus单分子层SiXY用于光催化水分裂
利用（HSE06）杂化泛函估计了单层SiPN的能带结构，包括VBM（价带最大值）和CBM（导带最小值）。研究还探讨了单层SiPN在不同单轴应变下的能带结构、STH效率和光吸收响应。计算方法 所有的第一原理密度泛函理论(DFT)计算均在CASTEP软件包中完成。几何优化和声子谱计算采用PBE方案的广义梯度近似(GGA)。平面...
光催化,最新纯计算AEM!
研究结果显示，经过充分优化后，所构建的2D CTF和CHF的晶格常数范围为9.72至31.39Å。CTF-1、CTF-2、CHF-1和CHF-2在纯水中从pH为7的H2O和O2进行光催化合成H2O2，满足热力学要求。CTFs和CHFs具有间接带隙半导体特性，能带结构和密度泛函（DOS）分析显示CBM的主要贡献来自C-pz和N-pz轨道，VBM...
