三极管 Ic

Question

三极管集电极电流增大到极值后为什么β值会减小 （我知道它跟基极电流的关系） 想知道具体的原因 。。。。

Answer 1

Ic是指三极管的c极(集电极)的电流。
Ic（的变化）是多大，是要看从基极流到发射极的电流Ib来决定的，一点点小的Ib变化，就能导致很大的Ic变化，这就是所谓的三极管的放大作用。只有这样三极管才有使用价值：用作放大器、振荡器、发射极跟随器等等。
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。 金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。

Answer 2

哈哈你这个问题真牛啊！从字面上看就有：三极管和IC，这个是两种不同的电子元件，三极管可以起到放大和开关作用，是一个单独结构元件，而IC是用多个三极管及阻容元件组合成的一种电路结构形式，是一种集成电路。
还有一种解释：三极管IC，这个I是电流，C表示三极管的一个集电极，和起来就变成表示这个三极管的集电极电流的意思。

Answer 3

三极管的Ic是指集电极电流，其与基极电流Ib的关系为：Ic=βIb，这个关系反映了三极管的电流放大作用，即基极作为输入端，集电极作为输出端，输出电流Ic是将输入电流Ib放大了β倍，β称为共射电流放大倍数，简称电流放大倍数。

Answer 4

问三极管 Ic是什么意思吗？Ic是指三极管的c极（集电极）的电流。