晶振电路中的两个小电容要怎样选取

如题所述

晶振起振后的频率准确与否,和选取的C1,C2是否与晶振规格要求的负载电容要求相吻合有直接关系,计算公式如下:CL=C1*C2/(C1+C2)+5pF;算出的CL值要与晶振规格要求的负载电容尽量接近才能获得晶振的标称频率的振荡频率.
一般电容的计算公式是:
两边电容为Cg,Cd,
负载电容为Cl
cl=cg*cd/(cg+cd)+a
就是说负载电容15pf的话,两边个接27pf的差不多了,一般a为6.5~13.5pF
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晶振两边的电容要怎样选
(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。(2):在许可范围内,C1,C2值越低,越接近,越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。(3):应使C2值大于C1值,这样可使上电时,加快晶振起振。晶振的外接电容,以及更详细资料请参考扬...

两个小电容要怎样选取
晶振起振后的频率准确与否,和选取的C1,C2是否与晶振规格要求的负载电容要求相吻合有直接关系,计算公式如下:CL=C1*C2\/(C1+C2)+5pF;算出的CL值要与晶振规格要求的负载电容尽量接近才能获得晶振的标称频率的振荡频率.一般电容的计算公式是:两边电容为Cg,Cd,负载电容为Cl cl=cg*cd\/(cg+cd)+a 就...

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如何选择单片机晶振上面的电容
但电容的具体大小没有什么 普遍意义上的计算公式,不同芯片的要求不同。(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。(2):在许可范围内,C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增比较常用的为15p-30p之间。

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51单片机晶振上接的电容大小该如何选择
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