如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet
因为MOSFET正常运行Tj温度高于25 ˚ C,当估算MOSFET的耗散功率时，考虑RDS(ON)时会变大是很重要的。动态特性 包括跨导,电容以及转换时间。正向跨导 Gfs,是增益参数，它表示在器件饱和状态下，栅极电压的变化引起的漏极电流的变化(MOSFET的饱和特性参考输出特性的平面部分。图.9表示漏极电流函数的Gfs...
如何看懂MOSFET手册
值得注意的是，DMOS技术虽然传统，但存在EMC问题。同时，高压MOSFET能够实现高压是由于内部多个MOSFET串联而成，从而增大导通电阻。封装部分也应关注，N型MOSFET图标的箭头朝里，购买物料时需要提供完整封装信息，否则会影响采购理解。Absolute Maximum Ratings描述了器件的最大额定值。设计时要确保管子在最恶劣条...
深入理解MOSFET规格书\/datasheet
首先，关注规格书中的电气参数，如V(BR)DSS（DS击穿电压），它表示MOSFET的耐压。许多人误以为只要不超过600V就能安全使用，但实际上，这是在Tj=25℃的条件下的最小值。在低温环境下，V(BR)DSS会随温度下降而减小，因此在设计时需留出裕量，考虑极端条件下的电压峰值。其次，MOSFET的ID（最大持续...
如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet
如何彻底读懂并理解MOSFET的手册；附录A；从手册中估计MOSFET的参数（等效电容，栅极电；在这个例子上，我们将计算IRFP450MOSFE；必要的计算需要以下信息；Vds,off=380V额定Vds关闭状态下的电；Vdrv=13V栅极上的电压幅度Rgate=5R；Rol=Rhi=5R栅极驱动电路的输出电阻；A1.电容；IRFP450的datesheet ...
理解MOSFET Datasheet(1)
输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）分别在模拟运行时、轻载时和开关操作中起着重要作用，它们的值会随着Vds的变化而变化，直接影响MOSFET的驱动损耗、下降时间和开关时间。最后，MOSFET驱动损耗的计算涉及Qg（栅极电荷）、Qgs（栅极-源极电荷）和Qgd（栅极-漏极电荷）参数，这些参数...
如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet06
下面叙述每一部分 快速参考数据 这些数据作为迅速选择的参考。包括器件的关键参数，这样工程师就能迅速判断它是否为合适的器件。在所包括的五个参数中，最重要的是漏源电压 VDS是和开启状态下的漏源阻抗RDS(ON)。VDS是器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大电压。RDS(ON) 是器件在给 ...
如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet
必要的计算需要以下信息 Vds,off=380V 额定Vds关闭状态下的电压 Id=5A 满载时的最大漏极电流 Tj=100 ℃ 工作结温 Vdrv=13V 栅极上的电压幅度 Rgate=5R 外部栅极电阻 Rol=Rhi=5R 栅极驱动电路的输出电阻 A1.电容 IRFP450的datesheet里给出的电容值 ...
最近看infineon 的MOSFET 的datasheet出现了两个陌生的参数Load current...
1. IL(nom)是没有加散热片的情况下，考虑RON和BTS6133D与环境热阻计算得到的电流值；2. IL(iso)是有散热片的情况下计算得到的电流值；3. IL12(SC)是如果负载电流达到75A以上，BTS6133D会通过不断重启来来限制电流在75A以下。
...开关管死区最小取值由哪些参数决定?datasheet里的哪些参数决定这个值...
通常都是经验选取的，开关频率的1\/50，保证电压损失不是太多。由datasheet里的时间只能最为参考，延时时间+开关时间。实际上，和主电路寄生参数，器件的性能都有关系，最好能最双脉冲先确定好你的最小死区时间，工业界基本上也是这样做的。
Mosfet内部有寄生电感,在设计电路的时候我们该如何考虑寄生电感呢...
只有在频率超高的情况下，才会考虑器件内部的寄生电感，这个电感主要是DS之间的，详细的器件DATASHEET会给出这个值，该值一般不超过20nH。这个电路中的100k电阻主要是两个目的：一是避免DG之间的米勒电容将D点的电压波动感应到G点，造成MOS误触发；第二是给G一个对地电位参考，释放GS之间的结电容电荷，...
