β=IC/IB,当温度升高,UBE不变时,IB增大,而放大状态的IC具有正向受控性,即IC的大小与UBE有关,那么,IC不变,IB增大,β不应该减小吗?为什么温度升高电流放大倍数会增大呢?就算是实验证明,那么至少理论上应该行得通啊...求教
我是想请教一下我的分析方法哪里出了问题,我自己感觉没有什么问题啊...
追答呵呵,PN结是半导体啊,非线性啊,你要假设温度升高,同样的IB,但是从发射极跨过基区到达集电区的载流子增加了,IC大了啊
追问当基极和发射极质之间的电压UBE设定不变时(控制变量法),这是前提,在这个条件下IC是不变的啊,因为UBE不变,所以从发射极发射出的电子数目是不变的...你所说的载流子是不会增加的,这是由晶体管的正向受控性决定的,而温度升高,UBE不变时,IB会增大,所以还是减小的。若如你所言,IB不变的情况下,温度升高,则UBE会减小的呀...UBE减小,发射集发射电子能力降低,IC显然会减小,同样的结果会使β减小。请问有什么问题?
本回答被提问者采纳温度升高为什么晶体管的电流放大倍数增大?
因为半导体的载流子温度高了热运动加剧,能量大了移动就强了,也可以理解为势垒减小了,所以同等条件下IC大了,B高了
温度越高三极管放大倍数越大吗
温度越高,三极管晶体管内部电子越活跃,直流通电Ic变大,但是交流放大倍数减小,一方面是因为内部PN结电容变大,另一方面是因为大量电荷摆脱pn结束缚成为自由电荷而不受基极控制,所以导致瞬态响应变差也就是交流放大能力变差,
三极管的参数为什么他的放大倍数范围很大?
晶体三极管的半导体材料本身受环境温度变化影响很大。也就是不同温度下放大倍数是不同的。另一方面由于工艺技术限制的原因生产生晶体管都有一定范围的离散性。所以放大倍范围数很大。事实上,在我们使用三极管时通常为了使电路稳定。大都需要加入大量的负反馈。这种情况下放大倍数的绝对值意义不大。例如运算放...
什么是零点漂移现象?什么是温度漂移?
温度漂移一般是指,环境温度变化时会引起晶体管参数的变化,这样会造成静态工作点的不稳定,使电路动态参数不稳定,甚至使电路无法正常工作。一般来说,温度升高,晶体管的电流放大倍数增大,Q点升高;反之减小。这部分额外增加的电流是温度变化引起的,理解为温度漂移。
三极管β为什么会随温度上升?
与化学反应原理差不多,温度升高后,微观粒子运动更加活跃,而晶体管的特征就是微观粒子在电场作用下的表现。温度升高不仅放大倍数增加,而且集电极电流、穿透电流也变大。
基本晶体管放大电路分析
一、静态工作点的稳定与温度影响环境温度的变化对基本共射放大电路的静态工作点至关重要。当电源电压(Vcc<\/)和极基偏置电阻(Rb<\/)设定后,基极偏置电流(IB<\/)相对稳定。然而,温度上升会促使晶体管参数ICBO、ICEO、β值上升,导致输出特性曲线向上移动,静态工作点Q随之沿负载线移至Q',主要表现为...
三极管的温度特性
随着温度的升高,三极管的工作效用越高。三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个...
零点漂移现象和温度漂移现象是什么意思?
零点漂移的信号会在各级放大的电路间传递,经过多级放大后,在输出端成为较大的信号。温度漂移,一般是指环境温度变化时会引起晶体管参数的变化,这样会造成静态工作点的不稳定,使电路动态参数不稳定,甚至使电路无法正常工作。温度升高,晶体管的电流放大倍数增大,Q点升高;反之减小。
关于大功率晶体管的几个问题
1、晶体管工作时会发热,就是说要消耗功率,当温度太高时晶体管会工作失常甚至坏掉,晶体管的功率参数指的是晶体管能承受的最大耗散功率;2、没有“大功率管的电流放大倍数要比小功率管低”这种说法。只是大功率管在应用中,很多场合可以用小放大倍数的。而小功率管的应用中往往要求较大的放大倍数。
三极管9013 的放大倍数是多少?一般会有多大的误差?受温度的影响有多大...
三极管9013 的放大倍数和电路组态有关,β值一般在100以上。误差和三极管9013的参数,外围元件的参数误差有关。受温度的影响和电路的形式有关,分压式放大电路,再加温度补偿元件可以减小温度对电路的影响。9013是一种NPN型硅小功率的三极管它是非常常见的晶体三极管,在收音机以及各种放大电路中经常看到它...