场管反接保护电阻是多少

Answer 1

场效应管防反接电路其功能和二极管防反接电路一样，其目的都是防止电源的正负输入端接反而导致负载电路烧毁等意外情况发生。场效应管防反接电路相比二极管防反接电路最大的优势是几乎零压降，二极管的压降一般都0.5V~1V左右，但是场效应管就不一样了，场效应管的内阻很小，小的只有几mΩ。假如5mΩ的内阻，经过1A的电流压降只有5mV，10A电流压降也才50mV。

其缺点是成本高、电路略复杂。二极管防反接其电路设计简单，只需串联一个二极管即可，成本也低，缺点是压降大，即使几十mA的小电流二极管的压降也有0.4V~0.6V左右，使用场效应管其压降能做到1mV以下，相差好几个数量级。
代替电源正极串联二极管的设计方法
如下图左侧为常见的电源正输入端正向串联一个二极管用于防止电源反接，这是利用二极管的单向导通特性（正向导通，反向截止）。图右侧为相应的场效应管防反接电路设计，采用P沟道的场效应管（P-MOS管）代替二极管。请注意P-MOS管D极和S极的方向，接错起不到防反作用。

防反接原理分析：当电源正负极输入正常时，电源正极经过场效应管Q1后正电压通过寄生二极管D1从漏极（D）流向源极（S），此瞬间电路板有有相应电源，只是有二极管压降约0.7V，控制极G极串联电阻后接到电源负极。G极和S极之间有相应的压差，VGS=-（VCC-0.7）,P-MOS管导通，电流从MOS管流过，压降减小。也就是说，上电瞬间，电流先从寄生二极管D1流过，此时压降较大，电流经过P-MOS管的S极之后，P-MOS管导通，电流从MOS管经过，压降变小。
当电源正负极反接时，P-MOS管的G极为正电压，MOS管截止，其寄生二极管D1也截止，S极也为正电压，无法触发P-MOS管导通，因此起到防反接作用。
代替电源负极串联二极管的设计方法
如下图左侧为电压负输入端串联二极管的防反接电路，正电压从电路板经过二极管，二极管导通，当电源正负极接反时，二极管截止。图右侧为相应的使用场效应管设计的原理，采用N-MOS管进行设计，请注意N-MOS管D极和S极的方向，接错起不到防反作用。

防反原理分析：当电源正负极输入正常时，N-MOS管的控制极G为正电压，接通瞬间，电路板负极电流从寄生二极管D1流向电源负极，此时若电压满足要求，电路板是可以正常工作的，只是有约0.7V的压降。当负极电流流向电源负极之后，N-MOS管的S极为低电平（电压约0.7V），VGS=VCC-0.7V，场效应管导通，压降变小。其工作原理也是，刚开始场效应管截止，电流走寄生二极管，之后S极变低电平触发场效应管导通，电流走场效应管。

总结：N沟道和P沟道场效应管都可以设计防反接电路，但是其设计方法不同，一个是接在电源正输入端，一个是接在电源负输入端。使用场效应管作为防反接电路设计，一般使场效应管工作在饱和区，内阻小，管子内耗也小。因此，一般应用在输入电源较大的场合，一般5V以上，具体要看管子饱和时的控制电压，不同管子其饱和时控制电压不同，一般5V~10V。比如3.3V电源系统就不适合使用场效应管作为防反接电路设计了，因为触发电压只有3.3V-0.7V=2.6V，无法触发场效应管导通。

Answer 2

1、利用二极管的反接保护电路
主要考虑：二极管的反向耐压值和正向电流值。
1.1 直接串联二极管
缺点，有0.7V左右的压降。 不适合输入电压比较小的场合
选用肖特基二极管  正向压降更小但电流较大时，功耗损失较大。 应避免使用肖特基
使用肖特基时存在一个潜在的问题。 它们具有更多的反向电流泄漏，因此它们可能无法提供足够的保护，尽量避免使用肖特基二极管进行反向保护。

1.2 并联二极管    无压降  缺点：反接时 保险丝会熔断，应选用自恢复保险丝。
应注意避免二极管过电流损坏，考虑使用功率二极管。

1.3桥式整流     不存在正负极反接的问题，但是有两个的二极管导通，功耗是单一整流二极管的两倍。

1.4反接时 不导通  正向无压降 这个地如何处理

1.5 反接保护电路  

2、增强型MOS管反接保护：   反接MOS管不会导通
该方法利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在 MOSFET Rds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。
若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。
若是NMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端，其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底。
一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。
N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。
正接时候，R1提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。
功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，2A的电流，功耗为（2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿MOS管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，最好选NMOS。

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