MOS管的三个电极分别为Us=－5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此时的工作状
MOS管的三个电极分别为Us=－5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此时的工作状态在恒流区？？？？求解
根据NMOS增强型场效应管（UGSth就说明了是增强型，电压UD>US说明是N沟道）的状态判断条件：
当UGS<UGSth时，截止（关断区）；
UDS<UGS-UGS(th)时，可变电阻区（相当于三极管饱和区）；
UDS=UGS-UGS(th)时，预夹断（恒流区与可变电阻区的临界点）；
UDS>UGS-UGS(th)时，恒流区（相当于三极管放大区）；
你现在可以计算一下：UDS=8V>UGS-UGS(th)=2V，所以明显是属于恒流区，此时对于每个UGS，都有一个iD与它对应，MOS管可视为电压UGS控制的恒流源。
你可以参考：童诗白，《模拟电子技术基础》第四版，P46页。追问
计算和比较的时候是直接计算还是取完绝对值再计算？？？
追答如果你熟悉MOS特性的话，可以直接取。
追问如果是p沟道，它的可变电阻区和恒流区在哪里？o>_<o~我比较笨
追答一样的，只是此时UGS、UGS(th)是负值。
追问噢噢，明白，谢谢o∩_∩o
MOS管的三个电极分别为Us=-5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此时的工作...
根据NMOS增强型场效应管（UGSth就说明了是增强型，电压UD>US说明是N沟道）的状态判断条件：当UGS<UGSth时，截止（关断区）；UDS<UGS-UGS(th)时，可变电阻区（相当于三极管饱和区）；UDS=UGS-UGS(th)时，预夹断（恒流区与可变电阻区的临界点）；UDS>UGS-UGS(th)时，恒流区（相当于三极管放大区...
mos管的三个极
5、2MOS管的三个极，GSD分别代表是什么1判断栅极G MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热。6、3个电极以地为参考，电压绝对值最大的为集电极，最小的为发射极，中间的为基极理论用...
MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能...
1、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。2、MOS管的导通是一个过程，你需要仔仔细细看一下模电书，好好温习一下Ugs(th)的定义。对于N-MOSFET来说，Ugs(th)是...
如下图,NMOS管的工作状态是怎样的?
这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
哪位大神能告告我怎么分析mos管的三个工作状态呢?拜托
th)，然后比较|Uds|与Ugs-Ugs(th)的大小：如果相等：预夹断；如果小于：可变电阻区；如果大于：恒流区；下面问题简单了：第一个，ugs=6V，uds=8V，恒流区 第二个，ugs=0V，截止区；第三个，ugs=-6V，uds=-1V，可变电阻区；这个管子是p沟道增强型MOSFET，其他两个都是N-MOSFET ...
mos管工作在饱和状的条件是Vgs-Vt>Vds,工作在放大的工作条件是Vds>Vgs...
th)，就是那根预夹断线（如果画在图上就是一根曲线），对于增强型N_MOSFET而言，线的左边就是可变电阻区，右边是恒流区，最底下一片是夹断区。比如说，Ugs=10V，Uds=1V，肯定是在可变电阻区了，也就是饱和状态。你的这个图里，Ugs(th)没有说明，这个数据一般要在MOS管前面的数据列表中找。
模电怎么样判断是哪种场效应管,以及是哪种工作状态
。工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。如果场效应管不导通，就不会有电流流经电阻Rs，那么 Us=0，则此时 Ugs=10V >Ugs(th)，所以，场效应管会导通；导通后就存在 Us，并保证 Ugs>Ugs(th)，不然就不会导通了。
MOS管的工作原理
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流...
N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS<VGS-开 ...
3、整个公式其实是从实验获得，你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。（1）首先设定UDS为0，然后慢慢增加UGS，等到UGS〉UGS（th），管子两端只要加微量电流，管子就可以导通，此时沟道形成了。（2）当UGS为大于UGS（th）的某个特定值，然后增加UDS。当UDS<UGS-UGS（th）时，...
这个mos管,Vgs电压是多少伏的情况下工作在饱和状态,和放大状态?
你要明白饱和的概念，并不是VGS多少V就会饱和，而是当ID的电流流过漏极负载电阻，而电阻产生的压降略等于电源电压时，就是饱和。VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。而此时如果电阻只有0.1R，那电流需要50A才能饱和，那VSG就需要约4V才行。
