为什么说BJT比MOS更容易受温度影响
因为双极型晶体管的输入阻抗远远低于MOS管，如果把BJT放在前边，整个电路的输入阻抗会大大降低，对信号源的要求就要大大提高，测量处理高阻抗信号时就会出现失真、误差。
温度变化时会引起BJT的哪些参数变化?如何变化
温度变化时会引起BJT的禁带宽度和少数载流子浓度这两个参数变化。正向压降随着温度升高而降低,反向电流随着温度升高而很快增大,势垒电容随着温度升高而增大等。因为BJT是半导体制造的,而半导体在此有两个参数是与温度有关的：一个是禁带宽度（一般随着温度的升高而减小）；二是少数载流子浓度（随着温度的升高...
为什么双极型晶体管的速度比MOS管高?
因为器件的速度主要决定于对电容的充放电时间常数，这与电容本身的大小有关，也与电流的大小有关。一般，BJT的电流较大于MOSFET，所以BJT的速度高于MOSFET。不过现在MOSFET的尺寸已经大大缩小了，相应的电容也得到很大减小，所以，即使充电电流不大，其对电容的充放电时间常数也可能很短，所以这时BJT的速度就...
与BJT放大电路相比MOSFET偏置电路有什么特点?
漏源极之间击穿.这是MOSFET最严重的一种失效模式,通常不易发生.发生后会导致短路而非断路.会导致强电源灌进弱电部分,如输入电压直接进入控制芯片而烧毁很多控制电路.通常是持续温度太高引起的（管芯温度大面积超过200度持续工作时才可能发生)IGBT稳定性比MOSFET稍差,但仍强过BJT.除了MOSFET的失效模式外,...
bjt和cmos用哪个搭电路
BJT。BJT比CMOS快为什么，BJT和MOS半导体结构不同，机制不同，导致在速度上的天然差别，BJT的跨导比MOS大为什么?(这里所说的BJT比CMOS快，不是针对开关管，而是作为放大信号的应用。)主要是受迁移率的影响。以NPN管和NMOS为例，BJT中的迁移率是体迁移率，大约为1350cm2\/vs。NMOS中是半导体表面迁移率...
TTL与MOS集成电路的优缺点, 以及各项评判的标准
首先，BJT的最大优点就是响应速度快，通常传输延时在5~10ns，这是因为BJT是电流放大，晶体管工作受寄生电容的影响非常小，因此对于很多高速逻辑运算的应用非常适合；其次，另外由于TTL的输入输出信号是电流，因此其接口电路非常简单，不需要过分考虑电平匹配的问题；最后，BJT器件的ESD性能远远好于CMOS。TTL...
直流电机PWM驱动电路为什么多选MOS而不选用TTL
使得电机能正常工作；而BJT导通后内阻大，而一般直流电机内阻极小，根据欧姆定律，BJT上分得的压降就多，加在电机上的电压可能不足以驱动电机，再者，就算能后驱动电机，因为电机电流一般很大，而BJT上的压降也很大（内阻大），耗散在BJT上的功率也就很大，最终导致烧毁BJT....
MOS管作为开关和晶体管作为开关使用时两者的区别?可以用晶体管替代MO...
2. 晶体管（通常指双极型晶体管BJT）是一种电流控制型半导体器件，其输入阻抗相对较低，且对前级电路的影响较大。3. 尽管MOS管和晶体管均可作为开关使用，但在电路设计时，通常更倾向于使用MOS管，因为它的高输入阻抗和低功耗使其更适合这一应用。4. 在进行电路维修时，如果需要更换开关器件，应尽...
简述双极性器件和MOS型器件的工作原理有何不同?为什么数字集成电路...
MOS管是电压控制电流器件，是单极性器件：载流子是空穴(P沟道)或自由电子(N沟道)，而且工艺上它的集成度可以做得很高；BJT比MOS的开关速度要快，但功耗也要大些，MOS管的开关速度慢些，但功耗非常小；以前BJT管用得多，但现在MOS也有HCMOS(高速MOS)管，因此MOS管的应用更有优势，用得越来越广泛。
为什么有时用IGBT做开关而不用MOS管? 我看到PWM控制IGBT做开关来控制直...
绝缘栅双极晶体管(IusuIatedGateBiP0IarTranSiSt0r)简称IGBT，是一种集BJT的大电流密度和MosFET等电压激励场控型器件优点于一体的高电压、高速大功率器件。Mos管耐压低工作电流小。
