饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
饱和导通状态：发射极，集电极均正偏，Vb>0.7V
三极管怎样才能使它处在放大的状态 或是饱和导通的状态?
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc\/ΔIb，这时三极管处放大状态。饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压...
三极管工作在放大区的条件
晶体三极管工作在放大区内的条件是：发射结正偏，集电结反偏。三极管的发射极加正向电压，集电极加反向电压导通后，IB控制IC，IC与IB近似于线性关系。三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。截止区，即三极管工作在截止状态，IB＝0，IC几乎等于0，仅有极微小的反向穿透电流Iceo...
如何让三极管工作在放大状态?
FET管处于放大状态，要求很简单，就是要想办法让管子处于饱和区（FET的饱和区与三极管的饱和区定义完全不同，相当于三极管的放大区）。严格的说有两个条件：1、保证FET管导通；2、使管子处于饱和区，不同类型管子不一样。对于N-JFET，具体要求是：1、Ugs(off)<Ugs<0；（此条件确保导通）；2、Ugd<...
急求:使三极管处于饱和导通状态,需要满足的条件是什么?
从电压上描述是：三极管发射结正向偏置， 集电结零偏置或正向偏置；Ube ≈ 0.7 V，Ubc ≥ 0 V 。从电流上描述是：基极电流乘以放大倍数大于集电极电流：Ib * β > Ic ≈ Vcc \/ Rc，电源电压除以集电极电阻。
怎样让三极管工作在饱和状态
相当于开路）。放大区：Ube≈0.6V，Ib有电流，满足Ic=βIb，Ie=（β+1）Ib，也就是说Ib越大则Ic就越大，β为三极管的放大倍数，此时发射结正偏，集电结反偏。饱和区：当基极电流继续增大而集电极电流不再增大时（趋于稳定），此时三极管达到饱和，饱和时三极管的集电结正偏，发射结正偏。
怎么样才能判断三极管是工作在放大区,还是饱和区还是截止区
这时三极管处于放大状态，集电极与发射极间电阻（Rce）随U be可变。当在维修过程中，测得U be在0.5～0.7V 之间时，就可知道三极管处在放大状态。3．饱和状态 当三极管的基极电流（I b）达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态...
三极管工作在饱和区的条件是什么? 工作在放大区的条件是什么?
三极管工作在饱和区的条件是 发射结正偏 集电结正偏 工作在放大区的条件是什么是 发射结正偏 集电结反偏 正常放大状态之下 UCE大于发射结的导通压降 即硅管大于0.7V 锗管大于0.3V 这个电压越小 管子动态范围越小 一般都在几伏 饱和区之内 UCE是低于管子发射结导通压降的 硅管在0.3V下 锗管...
三极管的放大状态怎么判断?
3V左右，处于饱和状态。2、对于PNP型硅三极管，当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极电压0.4V以上且高于电源电压时，该三极管处于放大状态；当基极电压低于发射极0.4V以下或高于发射极电压时，处于截止状态；当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极0.3V左右，处于饱和状态。
怎样才能使三极管工作在放大状态?
三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越...
三极管有哪几种工作状态,其工作条件和特点是什么?
1、三极管的线性放大区工作条件是：发射结正偏，集电极反偏（有适合的静态工作点Ib、Ic、Vce），三极管在线性放大区可以不失真地对交流小信号进行放大。2、这是一个介于截止区和线性区的一个区间，3、三极管饱和导通的条件是：集电结正偏或集电结零偏（Ubc≥0V）；4、不满足上述三条的管子截止。三...
