工作在放大区的条件是什么是 发射结正偏 集电结反偏
正常放大状态之下 UCE大于发射结的导通压降 即硅管大于0.7V 锗管大于0.3V 这个电压越小 管子动态范围越小 一般都在几伏
饱和区之内 UCE是低于管子发射结导通压降的 硅管在0.3V下 锗管在0.1V下
三极管工作在饱和区的条件是什么? 工作在放大区的条件是什么?
三极管工作在饱和区的条件是 发射结正偏 集电结正偏 工作在放大区的条件是什么是 发射结正偏 集电结反偏 正常放大状态之下 UCE大于发射结的导通压降 即硅管大于0.7V 锗管大于0.3V 这个电压越小 管子动态范围越小 一般都在几伏 饱和区之内 UCE是低于管子发射结导通压降的 硅管在0.3V下 锗管...
三极管工作在放大区、饱和区、截止区的外部条件是什么?
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。放大状态 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结...
怎样让三极管工作在饱和状态
三极管属于电流型控制元器件，也就是小电流控制大电流，其有三个工作区间：截止区、放大区和饱和区。截止区的条件（假设BE的压降为0.6V）：Ube＜0.6V（NPN），Ube＞-0.6V（PNP），此时Ib=0，EC之间的内阻很大（相当于开路）。放大区：Ube≈0.6V，Ib有电流，满足Ic=βIb，Ie=（β+1）Ib，也...
三极管工作在放大区的条件
晶体三极管工作在放大区内的条件是：发射结正偏，集电结反偏。三极管的发射极加正向电压，集电极加反向电压导通后，IB控制IC，IC与IB近似于线性关系。三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。截止区，即三极管工作在截止状态，IB＝0，IC几乎等于0，仅有极微小的反向穿透电流Iceo...
晶体管工作在三个区域的条件是
7V即Ub-Ue>0.7V PNP型三极管要满足饱和的电压条件是发射结和集电结均处于正向电压:Ueb>0.7V即Ue-Ub>0.7V 从三极管的伏安特性可知：其工作区域分截止区、放大区、饱和区；放大区在截止区和饱和区之间，如果静态工作点不合适，偏向截止或饱和区，放大的信号会进入偏向的区域，其信号会产生失真。
三极管有几个工作区,其工作条件分别是什么
第一个区是放大区，它体现了基级电流对集电极-发射极间电流的控制能力，也就是Ic=βIb，工作条件是：集电结反偏，发射结正偏；这个区主要用于对小信号的放大，也是模电研究最多的区域。第二个区是饱和区，它体现的是三极管导通状态下（除满足放大状态外）的工作形态，判断的条件是：集电结正偏或者...
我这里对三极管的工作状态理解对吗,帮我判断下,以NPN型三极管为例?
对于晶体三级管BC电压无意义。（1）工作在 放大区 的条件的正确表述是：文字表述：发射结正向偏置（Ub大于发射结开启电压Uon）且集电结反向偏置。符号表示：Ub＞Uon且Uc＞＝Ub （2）工作在 饱和区 的条件正确表述是：文字表述：发射结与集电结均正向偏置。符号表示：Ub＞Uon且Uc＜Ub。
三极管的工作条件!!
超出了放大区，进入了饱和区。饱和时，集电极和发射之间的内阻最小，集电极和发射之间的电流最大。三极管没有放大作用，集电极和发射极相当于短路，常与截止配合于开关电路。 NPN型三极管要满足饱和的电压条件是发射结和集电结均处于正向电压: Ube>0.7V即Ub-Ue>0.7V ...
晶体三极管工作在饱和区的工作条件是
晶体三极管工作在饱和区的工作条件是介绍如下：三极管进入饱和状态，其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC《IB。在实际电路中，如晶体管的UBE增大时，IB随之增大，但IC增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和...
三极管什么时候工作在饱和区
三极管集极电流≥集电极电流\/共发射极电流放大倍数 时工作在饱和区。
