BJT与MOS的区别
1、工作性质不同 三极管是使用电流控制的，MOS管是属于使用电压控制的。2、成本问题不同 三极管非常的便宜，MOS管比较昂贵。3、功耗问题不同 三极管的损耗非常大，MOS管功效较小。4、驱动能力不同 三极管常用独立开关，使用小电流开关电路，MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
简述双极性器件和MOS型器件的工作原理有何不同?为什么数字集成电路...
BJT是电流控制电流器件，而且是双极性器件：载流子包括空穴和自由电子；MOS管是电压控制电流器件，是单极性器件：载流子是空穴(P沟道)或自由电子(N沟道)，而且工艺上它的集成度可以做得很高；BJT比MOS的开关速度要快，但功耗也要大些，MOS管的开关速度慢些，但功耗非常小；以前BJT管用得多，但现在MOS也...
三极管的分类
按工艺的不同，BJT可以分为同质结BJT和异质结BJT（称HBT: Heterojunction Bipolar Transistor）。MOS型器件有CMOS，NMOS，PMOS，MESFET，HEMT，pHEMT，前面三种基本上只能在Si上实现，后面三种只能在GaAs等化合物半导体商实现。另外还有一些器件具有特殊的衬底：比如说：SOI（Silicon On Insulator），SOS（Sili...
为什么双极型晶体管的速度比MOS管高?
因为器件的速度主要决定于对电容的充放电时间常数，这与电容本身的大小有关，也与电流的大小有关。一般，BJT的电流较大于MOSFET，所以BJT的速度高于MOSFET。不过现在MOSFET的尺寸已经大大缩小了，相应的电容也得到很大减小，所以，即使充电电流不大，其对电容的充放电时间常数也可能很短，所以这时BJT的速度就...
bjt和cmos用哪个搭电路
BJT。BJT比CMOS快为什么，BJT和MOS半导体结构不同，机制不同，导致在速度上的天然差别，BJT的跨导比MOS大为什么?(这里所说的BJT比CMOS快，不是针对开关管，而是作为放大信号的应用。)主要是受迁移率的影响。以NPN管和NMOS为例，BJT中的迁移率是体迁移率，大约为1350cm2\/vs。NMOS中是半导体表面迁移率...
三极管,MOS管如何工作的问题
NPN、PNP是双极型晶体管（BJT）的类型； 而MOS是场效应管，类型分为N沟道的NMOSFET、P沟道的PMOSFET，还有结型的JFET。BJT与FET，BJT与MOS，在工作原理以及器件结构上都完全不同。BJT是通过BE结正向偏置，由发射极E向基区注入载流子（电子或空穴），基区宽度小于载流子扩散长度。然后集电结反向偏置，...
为什么说BJT比MOS更容易受温度影响
因为双极型晶体管的输入阻抗远远低于MOS管，如果把BJT放在前边，整个电路的输入阻抗会大大降低，对信号源的要求就要大大提高，测量处理高阻抗信号时就会出现失真、误差。
求告知,mos管和三极管的区别是啥
mos管也是三极管。我们常说的三极管其实是BJT它是电流型控制器件，用基射电流控制集射电流。他们的关系是 Ice（集射电流）=βIbe（基射电流）。mos是电压控制器件，栅源电压到达mos的开启电压时，漏源便导通了，mos的放大能力很弱，所以一般用作开关，当然结型场效应管J-FET有明显的电流放大作用。三极...
151三极管与mos管区别
一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而MOS管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适. 这也就是我们通常所说的MOS管比较稳定的原因.二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极...
三极管与MOS管的区别
三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：1、BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm；2、BJT线性较差，FET线性较好；3、BJT噪声较大，FET噪声较小；4、BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型 所以...
