一般驱动电压在15V,截至电压为0V或-5V;
1 +15V 有2A的最大瞬间电流;正常工作在15V的时候500mA都是大的了,IGBT是电压控制的,一般的电流不大.要瞬间电流大是为了,上升沿能满足需求.上升沿瞬间变化,要求电压有足够的能力来驱动,否则开关时间拉长,不能正常工作.
2 -5V是为了关闭完全用,也可以不用.-5V电流就更小了.100mA以内
因此总功率在10W以内,
最后还看你的IGBT型号,一般可以参考手册有说明;
推荐一个驱动管: Infineon的 1ED020I12-F 可以驱动IGBT一路,电流在2A峰值,有保护,使用还行,价格便宜大概是10元以内;8元我买过.可以驱动100A以上的IGBT.
看你要求要多大的IGBT驱动了
igbt驱动功率是多少
因此总功率在10W以内,最后还看你的IGBT型号,一般可以参考手册有说明;推荐一个驱动管: Infineon的 1ED020I12-F 可以驱动IGBT一路,电流在2A峰值,有保护,使用还行,价格便宜大概是10元以内;8元我买过.可以驱动100A以上的IGBT.
IGBT驱动 为什么一定要驱动电流
VMOS场效应管(以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件)的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过,因而低频的静态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和关断时需要一定的动态驱动功率。小功率VMOS管的Cgs一般在10-100pF之内,对于大功率的绝缘栅...
IGBT是什么 怎么分类
1、低功率IGBT IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。2、U-IGBT U（沟槽结构）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞内部形成沟槽式栅极。...
TLP701可以驱动多大功率的IGBT
TLP701的输出电流即驱动电流在0.6A,只适合驱动小功率的功率器件。如果要驱动1200V，100A的IGBT，建议用东芝的TLP350试试。这家伙的输出电流是2.5A。只是要注意封装TLP701是6脚贴片封装，TLP350是8脚封装。
电磁炉中的IGBT额定功率
1500w~2000w是最高可以提供这么高的功率，但用时不见得就是这个功率，根据你的设定不同时功率会不同。设定最大是2000W
igbt的分合频次是多少
根据IGBT资料显示，IGBT常用的频率段是在100-10KHz，功率在10兆瓦以下，但是随着技术的发展，IGBT在几十兆瓦级别的应用越来越有优势。IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
igbt驱动的简介
1.2 对电源的要求对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于 IGBT 是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使 IGBT 迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止 IGBT 关断时产生的 du\/dt 误使 IGBT...
igbt的主要参数有哪些?
绝缘栅型）晶体管，参数如下：极性:N沟道；漏极电流（ Id）最大值: 10A (at 25℃)电压,（Vgs） 最大值:20V 开态电阻（ Rds(on)）: 典型值 0.48Ω 即Vgs=10V，Id=5.3A 电压, （Vds）最高:400V 功耗（P）:2.5W 封装类型:TO 220 针脚数:3 晶体管类型:MOSFET 满功率温度:25°C ...
IGBT功率模块与高压直流继电器如何配合使用
1、驱动继电器的功率一般较小（几十瓦），IGBT有点大材小用，当然可以选小功率的。2、高压直流继电器的参数，高压指开关端的还是线圈端的，IGBT一般工作电压在400V以下，如果线圈是1000V的高压，那么采用MOS器件更合适。如果高压是开关端，那么只要增加防护如压敏器件，防止高压进入控制电路。3、如果是控制...
GTO ,GTR IGBT, MOSFET 频率范围分别为多少?
IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的设计、电流电压等级，所以说这是个折衷考虑的结果...
