三极管最佳放大状态要考虑以下几种情况:
1、工作频率:
选取的三极管截止频率要大于电路的工作频率
2、三极管的静态电流:
电路中三极管的静态电流要选取在β值较均匀的那一段。(这个就要参考使用的晶体管参数曲线)
3、考虑前后级输入、输出阻抗的匹配。
4、输出动态范围:
如一楼所说,静态电压取1/2Vcc,这样可以取得最大的动态范围。
5、环境温度影响:
环境温度影响可以在电路设计时予以考虑,使环境温度产生的温漂现象减低到可容许的范围。
扩展资料:
三极管的主要参数:
特征频率:当f=fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。
fT称作增益带宽积,即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率。
电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE:电流放大倍数。
VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。
PCM:最大允许耗散功率。
封装形式:指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现。
怎样使三极管处于最佳放大状态?
三极管最佳放大状态要考虑以下几种情况:1、工作频率:选取的三极管截止频率要大于电路的工作频率 2、三极管的静态电流:电路中三极管的静态电流要选取在β值较均匀的那一段。(这个就要参考使用的晶体管参数曲线)3、考虑前后级输入、输出阻抗的匹配。4、输出动态范围:如一楼所说,静态电压取1\/2Vcc,这...
如何让三极管工作在放大状态?
FET管处于放大状态,要求很简单,就是要想办法让管子处于饱和区(FET的饱和区与三极管的饱和区定义完全不同,相当于三极管的放大区)。严格的说有两个条件:1、保证FET管导通;2、使管子处于饱和区,不同类型管子不一样。对于N-JFET,具体要求是:1、Ugs(off)<Ugs<0;(此条件确保导通);2、Ugd<...
三极管怎样才能使它处在放大的状态 或是饱和导通的状态?
放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc\/ΔIb,这时三极管处放大状态。饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压...
三极管放大条件?
1、保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态,即有合适的偏置。也就是说发射结正偏,集电结反偏。2、输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极,形成变化的基极电流,从而产生三极管的电流控制关系,变成集电极电流的变化。3、输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的...
三极管处于放大区的条件
三极管处于放大区的条件是:1、发射结正偏,集电结反偏。2、基极电流满足0<Ib<Ibs,其中Ibs为基极的临界饱和电流。注:以上两个条件是并列的,满足任何一个都可以判定三极管处于放大区。三极管放大区的定义:在晶体三极管中,放大区也称为线性区。即当集电极和发射极的电压VCE大于一定的数值时,集电极...
晶体三极管工作在放大区的条件?
晶体三极管工作在放大区内的条件是:发射结正偏,集电结反偏。三极管的发射极加正向电压,集电极加反向电压导通后,IB控制IC,IC与IB近似于线性关系。三极管的三种状态也叫三个工作区域,即:截止区、放大区和饱和区。截止区,即三极管工作在截止状态,IB=0,IC几乎等于0,仅有极微小的反向穿透电流Iceo...
三极管处于放大状态要满足什么条件?
三极管处于放大状态的条件为:发射结正偏,集电结反偏。三极管的放大状态就是发射结正偏、集电结反偏的一种工作状态。因为BJT是电流控制的器件,故放大状态的输出电流与输入电流成正比。放大性能用电流放大系数表示(共基极组态是α和共发射极组态是β)。对于共基极组态有:Ic=α Ie;对于共发射极...
请问怎样才能使三极管处于放大状态又怎样使其进入饱合状态?谢谢!
有两种方法。一、当选定集电极电流时,增大集电极电阻,使集电极电流与电阻的乘积达到略小于电源电压时,三极管即由放大状态进入饱和状态;二、当选定集电极电阻时,增大基极电流,使集电极电流与集电极电阻的乘积达到略小于电源电压时,三极管也由放大状态进入饱和状态。
三极管放大电路基本原理
基极三个电阻是偏置电路,其中可调电阻用于调整偏置电流,使三极管工作在最佳状态。集电极电阻是负载电阻,射极电阻是负反馈电阻,射极电容是旁路电容。基极电容是输入耦合电容,集电极电容是输出耦合电容。输入信号电压经输入电容加到基极形成输入电流,被三极管放大后的信号电流在负载电阻上产生压降,经输出电容...
使饱和状态的三极管进入放大状态要怎么办
有2个办法:1,减小Ib,具体实现方式看具体电路设计。当Ib与Ic成比例变化或者Vce显著增大的时候,就饱和了。2,减小Ic。